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대기압 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 미세결정질 실리콘 박막의 결정화도 조절방법

  • 기술번호 : KST2014062135
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대기압 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 미세결정질 실리콘 박막을 증착한 것으로서, 특히 기판의 움직임 속도에 따라 실리콘 결정화도 조절에 관한 것이다. 종래에는 실란(SiH4)과 수소(H2)의 비율을 조절하여 형성되는 실리콘 박막의 결정화도를 조절하였으나, 본 발명에 의하면 기판의 움직임 속도를 조절함으로써 종래에 비해 쉽고 신뢰서 있게 실리콘 박막의 결정화도를 약 23%에서 52%까지 조절할 수 있었다.
Int. CL C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01) C23C 16/505(2013.01)
출원번호/일자 1020100122148 (2010.12.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1181411-0000 (2012.09.04)
공개번호/일자 10-2012-0060572 (2012.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권정대 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 남기석 대한민국 경상남도 창원시 의창구
3 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김종국 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 나종주 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 김도근 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 강재욱 대한민국 경상남도 창원시 가음동
8 이건환 대한민국 경기도 평택시
9 이성훈 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
10 윤정흠 대한민국 경상남도 김해시
11 김동호 대한민국 경상남도 창원시 마산회원구
12 이규환 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0795687-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072152-78
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0482552-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
CVD 장치를 이용하여 기판상에 형성되는 실리콘 박막의 결정화도를 조절하는 방법으로,(a) 기판 위에 전극이 배치된 CVD 챔버 내에 실리콘 형성용 반응가스와 불활성 가스를 주입하는 단계와, (b) 상기 전극에 전원을 인가하여 상기 전극과 기판 사이에 발생시킨 플라즈마로 상기 반응가스에 화학반응을 일으켜 상기 기판상에 실리콘 박막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 (b) 단계에서 상기 전극에 대한 기판의 움직임 속도의 조절을 통해, 형성되는 실리콘 박막의 결정화도을 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전극은 구동장치에 연결된 회전축과 상기 회전축의 외주부에 원통형상으로 돌출 형성된 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반응가스는 실란(SiH4) 및 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에 있어서, 상기 기판의 온도는 100 ~ 300℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 기판의 움직임 속도는 1 ~ 25 mm/sec로 조절되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기판의 움직임 속도는, 상기 전극은 고정되고 상기 기판의 움직이는 속도, 또는 상기 기판이 고정되고 상기 전극이 움직이는 속도, 또는 상기 기판과 전극이 동시에 움직일 때의 상대 속도에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판의 움직임은 상기 전극의 중심에 대해 왕복운동 형식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.