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대기압 플라즈마 CVD 장치용 반응기와 이를 이용한 박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2014062136
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대기압 플라즈마 CVD 장치의 반응기에 관한 것으로, 금속을 포함하는 화합물 가스(전구체)와 반응 가스를 분리하여 기판에 공급함으로써, 종래 플라즈마 반응기 내에서의 기상상태 반응에 의한 분진물 생성과 플라즈마 생성용 전극의 오염을 줄이고 최대한 기판 가까이에서 전구체와 플라즈마로부터 형성된 반응가스의 반응을 유도할 수 있는 반응기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 반응기를 이용하여 TiO2 박막을 형성할 경우, 200℃의 저온에서도 아나타제 결정상 구조를 갖고 우수한 광촉매 특성을 나타내는 이산화티탄 박막을 제조할 수 있다. 대기압 플라즈마 화학기상증착
Int. CL C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01)
CPC C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01) C23C 16/50(2013.01)
출원번호/일자 1020080097859 (2008.10.06)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1004061-0000 (2010.12.20)
공개번호/일자 10-2010-0038768 (2010.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20101227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권정대 대한민국 경상남도 창원시 가음동
2 나종주 대한민국 경상남도 창원시
3 윤정흠 대한민국 경상남도 김해시
4 이건환 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0697714-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0057015-76
4 등록결정서
Decision to grant
2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0574525-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
대기압 플라즈마 CVD 장치용 반응기로서, 플라즈마 생성용 전극과, 전구체 공급장치로부터 박막을 형성하는 전구체를 공급받아 기판에 배출하는 전구체 분사부와, 상기 전구체 분사부와 분리되어 그 일측에 배치되며, 반응가스 공급장치로부터 반응가스를 공급받아 상기 플라즈마 생성용 전극을 통과시켜 형성된 플라즈마 반응가스를 기판에 배출하는 플라즈마 반응가스 분사부를 포함하고, 상기 플라즈마 반응가스 분사부의 배출구는 상기 전구체 분사부의 배출구로부터 이격된 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항에 있어서, 상기 전구체 분사부를 가열할 수 있는 가열수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전구체 분사부 및 플라즈마 반응가스 분사부의 내부에는 가스 분포를 균일하게 하기 위한 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반응기에는 반응기를 냉각시킬 수 있는 냉각수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 반응기를 포함하는 화학기상증착 장치로서, 상기 전구체 공급장치의 용기와 캐리어가스 공급장치를 연결하는 배관에는 상기 용기로부터 캐리어 가스 공급장치로 전구체 가스가 역류하는 것을 방지하는 역류방지 밸브가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치
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대기압 플라즈마 화학기상증착법으로 이산화티탄 또는 이산화티탄 함유 박막을 형성하는 방법으로서, 화학적 반응을 통해 박막을 형성하는 티타늄 전구체와 산소 플라즈마 가스를 분리하여 소정거리 이격된 위치에서 기판에 배출시키는 것을 특징으로 하는 이산화티탄 또는 이산화티탄 함유 박막의 형성방법
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제 6 항에 있어서, 상기 기판의 가열온도는 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 이산화티탄 또는 이산화티탄 함유 박막의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.