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대기압 플라즈마 CVD 장치용 반응기로서,
플라즈마 생성용 전극과,
전구체 공급장치로부터 박막을 형성하는 전구체를 공급받아 기판에 배출하는 전구체 분사부와,
상기 전구체 분사부와 분리되어 그 일측에 배치되며, 반응가스 공급장치로부터 반응가스를 공급받아 상기 플라즈마 생성용 전극을 통과시켜 형성된 플라즈마 반응가스를 기판에 배출하는 플라즈마 반응가스 분사부를 포함하고,
상기 플라즈마 반응가스 분사부의 배출구는 상기 전구체 분사부의 배출구로부터 이격된 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항에 있어서, 상기 전구체 분사부를 가열할 수 있는 가열수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전구체 분사부 및 플라즈마 반응가스 분사부의 내부에는 가스 분포를 균일하게 하기 위한 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반응기에는 반응기를 냉각시킬 수 있는 냉각수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반응기
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제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 반응기를 포함하는 화학기상증착 장치로서,
상기 전구체 공급장치의 용기와 캐리어가스 공급장치를 연결하는 배관에는 상기 용기로부터 캐리어 가스 공급장치로 전구체 가스가 역류하는 것을 방지하는 역류방지 밸브가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치
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대기압 플라즈마 화학기상증착법으로 이산화티탄 또는 이산화티탄 함유 박막을 형성하는 방법으로서,
화학적 반응을 통해 박막을 형성하는 티타늄 전구체와 산소 플라즈마 가스를 분리하여 소정거리 이격된 위치에서 기판에 배출시키는 것을 특징으로 하는 이산화티탄 또는 이산화티탄 함유 박막의 형성방법
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제 6 항에 있어서, 상기 기판의 가열온도는 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 이산화티탄 또는 이산화티탄 함유 박막의 형성방법
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