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산화붕소(B2O3), 붕산, sodium borate (borax) 중 하나 이상을 포함하는 붕소화합물과; CxHyOz (x≥1, y≥2, z≥0)의 화학식을 가지는 화합물과, silicon oil, triethylorthosilicate(TEOS) 중 하나 이상을 포함하고, 붕소의 총중량 대비 1 내지 15중량%의 함량을 가지는 탄화수소화합물과; alkali halide와 MgO 중 하나 이상을 포함하며 붕소의 총중량 대비 20 내지 300중량%의 희석제;가 혼합된 혼합분말에 환원제가 추가되고, 자전 연소반응 후 생성된 반응생성물을 침출 및 분쇄시켜 형성된 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말에 있어서,
상기 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말은, 500㎚이하의 평균입경을 가지는 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말
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제 4 항에 있어서, 상기 alkali halide는,
NaCl와 KCl 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말
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제 5 항에 있어서, 상기 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말은, 비정질상인 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말
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산화붕소(B2O3), 붕산, sodium borate (borax) 중 하나 이상을 포함하는 붕소화합물과; CxHyOz (x≥1, y≥2, z≥0)의 화학식을 가지는 화합물과, silicon oil, triethylorthosilicate(TEOS) 중 하나 이상을 포함하고, 붕소의 총중량 대비 1 내지 15중량%의 함량을 가지는 탄화수소화합물과; alkali halide와 MgO 중 하나 이상을 포함하며 붕소의 총중량 대비 20 내지 300중량%의 희석제;를 혼합하는 재료혼합단계와,
원료분말이 혼합된 혼합분말과 환원제를 혼합하는 환원제혼합단계와,
환원제가 혼합된 혼합분말을 자전연소법으로 반응시켜 붕소 및 탄화붕소 혼합분말을 형성하는 자전연소반응단계와,
상기 붕소 및 탄화붕소를 후처리하여 미세한 붕소 전구분말을 형성하는 후처리단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자전연소법에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 재료혼합단계에서 alkali halide는,
NaCl와 KCl 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 후처리단계는,
상기 붕소 및 탄화붕소를 분쇄하는 분쇄과정과,
분쇄된 붕소 및 탄화붕소를 산처리하는 산처리과정과,
산처리된 붕소 및 탄화붕소를 수세하는 수세과정과,
상기 붕소 및 탄화붕소를 건조하여 미세한 붕소 전구분말을 형성하는 건조과정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도 선재 제조용 미세 붕소 전구분말 제조방법
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