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센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062233
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 (a)기판의 상면에 서로 이격되고, 한쌍을 이루는 전극 모양의 폴리머구조물을 형성하는 단계와, (b)상기 (a)단계에 의해 상기 기판의 상면에 형성된 상기 전극을 열분해 시켜 탄소전극으로 변환하는 단계와, (c)상기 (b)단계에 의해 변환된 상기 탄소전극의 상측에 절연덮개층을 적층하여, 서로 이격 형성된 상기 탄소전극들 사이에 마이크로채널을 형성하는 단계가 포함되어, 센서의 구조를 개선하여 크기를 감소시킴과 동시에 센서의 센싱 감도를 향상시키고, 검출하려는 인자를 센싱하는 센싱부에 검출하려는 인자의 이탈을 방지함은 물론, 산화/환원 반응의 면적을 증가시켜 고감도의 센서 및 그 제조 방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/30 (2006.01.01) G01N 27/327 (2006.01.01) G01N 27/403 (2006.01.01)
CPC G01N 27/308(2013.01) G01N 27/308(2013.01) G01N 27/308(2013.01) G01N 27/308(2013.01)
출원번호/일자 1020120120576 (2012.10.29)
출원인 울산과학기술원, 에스케이이노베이션 주식회사
등록번호/일자 10-2024916-0000 (2019.09.18)
공개번호/일자 10-2014-0054730 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20190924) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 에스케이이노베이션 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신흥주 대한민국 울산 울주군
2 허정일 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 임영진 대한민국 부산 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층
2 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
2 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0883461-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0654575-88
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511160-94
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1062915-17
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1088378-96
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0014168-18
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0116155-16
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0397725-41
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0397713-04
14 등록결정서
Decision to grant
2019.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0431117-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)기판의 상면에 서로 이격되고, 한쌍을 이루는 전극 모양의 폴리머 구조물을 형성하는 단계;(b)상기 (a)단계에 의해 상기 기판의 상면에 형성된 상기 전극 모양의 폴리머구조물을 열분해 시켜 탄소전극으로 변환하는 단계;(c)상기 (b)단계에 의해 변환된 상기 탄소전극의 상측에 절연덮개층을 적층 접착하여, 서로 이격 형성된 상기 탄소전극들 사이에 마이크로채널을 형성하는 단계;가 포함되는 센서 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 (a)단계는(a-1)실리콘웨이퍼로 된 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계;(a-2)상기 (a-1)단계에 의해 형성된 상기 절연층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;(a-3)상기 (a-2)단계에 의해 상기 포토레지스트가 도포된 상기 절연층의 상부에 해당 전극영역이 타공된 포토마스크를 위치한 후 자외선으로 노광하는 단계;(a-4)상기 (a-3)단계에 의해 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상하여 제거해 상기 기판의 상부에 서로 이격되고, 한쌍을 이루는 전극 모양의 폴리머구조물을 형성하는 단계;가 포함되는 센서 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 (c)단계에서는 상기 탄소전극에 절연덮개층을 적층 접착할 시 접착매질로 실리콘옥사이드를 사용하는 센서 제조방법
4 4
절연층을 포함하는 기판의 상측에 서로 이격 형성되는 한쌍의 탄소전극;상기 이격 형성된 한쌍의 탄소전극 상측에 접착되어, 상기 탄소전극들 사이에 마이크로채널이 형성되도록 하는 절연덮개층이 포함되는 센서
5 5
청구항 4에 있어서,상기 마이크로채널의 내벽면을 이루는 상기 탄소전극들의 서로 마주보는 전극면에 복수의 돌출부가 서로 엇갈리게 연장 형성되어, 상기 마이크로채널이 절곡된 형태로 형성되는 센서
6 6
청구항 5에 있어서,상기 마이크로채널이 지그재그 형태로 형성되는 센서
7 7
청구항 5에 있어서,상기 마이크로채널이 곡선 형태로 형성되는 센서
8 8
청구항 5에 있어서,상기 마이크로채널이 나선 형태로 형성되는 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.