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센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062234
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 (a)기판의 제1전극영역 상면에 노광, 경화되는 포토레지스트로 제1포토레지스트전극을 형성하는 단계; (b)상기 제1포토레지스트전극을 중심에 두고, 서로 이격되는 한쌍의 제2전극영역에 노광, 경화되는 포토레지스트로 한쌍의 제2포토레지스트전극을 형성하는 단계; (c)상기 한쌍의 제2포토레지스트전극 사이에 형성된 포토레지스트 상부에 복수개의 투과부가 배열된 제3포토마스크를 위치한 후, 노광, 경화시켜 자외선의 회절에 따른 한쌍의 상기 제2포토레지스트전극을 연결한 멤브레인구조물을 형성하는 단계; (d)상기 (c)단계에 의해 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상하여 제거하는 단계; 및 (e)상기 제1, 제2포토레지스트전극 및 상기 멤브레인구조물을 열분해하여 제1,제2탄소전극과 탄소멤브레인구조물로 변환하여 완성하는 단계를 포함하여, 저비용의 일괄 공정으로 생산할 수 있고, 산화 및 환원 반응의 반복 반응의 효율이 증가되어 센싱 감도가 향상되며, 고가의 나노공정 장비 없이 저비용으로 나노 구조체를 생산할 수 있는 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL G01N 27/30 (2006.01.01) G01N 27/327 (2006.01.01)
CPC G01N 27/308(2013.01) G01N 27/308(2013.01) G01N 27/308(2013.01) G01N 27/308(2013.01)
출원번호/일자 1020120120575 (2012.10.29)
출원인 울산과학기술원, 에스케이이노베이션 주식회사
등록번호/일자 10-2024913-0000 (2019.09.18)
공개번호/일자 10-2014-0054729 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20190924) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 에스케이이노베이션 주식회사 대한민국 서울특별시 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신흥주 대한민국 울산 울주군
2 허정일 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 임영진 대한민국 부산 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층
2 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
4 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
2 에스케이이노베이션 주식회사 서울특별시 종로구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0883459-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0653998-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0511160-94
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1062819-21
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-1088437-92
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0011514-98
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0105083-69
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0383652-34
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0383681-58
14 등록결정서
Decision to grant
2019.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0431116-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5260828-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5263004-74
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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(a-1)기판 상면에 절연층을 형성하는 단계;(a-2)상기 (a-1)단계에 의해 상기 절연층 상에 포토레지스트를 1차 도포하는 단계;(a-3)상기 (a-2)단계에 의해 상기 포토레지스트가 도포된 상기 절연층의 상부에 해당 제1전극영역이 타공된 제1포토마스크를 위치한 후, 자외선으로 1차 노광하는 단계;(a-4)상기 (a-3)단계에 의해 노광된 부분을 제외한 나머지 부분을 현상하여 상기 포토레지스트를 제거함으로써, 상기 기판의 상부에 제1포토레지스트전극 형성을 완료하는 단계;(b-1)상기 (a-4)단계에 의해 제1포토레지스트전극이 형성된 상기 기판의 상부에 포토레지스트를 2차 도포하는 단계;(b-2)상기 (b-1)단계에 의해 포토레지스트가 2차 도포된 기판의 상부에 해당 제2전극영역이 타공된 제2포토마스크를 위치한 후 자외선으로 2차 노광하여, 상기 제1포토레지스트전극을 중심에 두고 서로 이격되는 한쌍의 제2포토레지스트전극 형성을 완료하는 단계;(c)상기 한쌍의 제2포토레지스트전극 사이에 형성된 포토레지스트 상부에 복수개의 투과부가 배열된 제3포토마스크를 위치한 후, 노광, 경화시켜 자외선의 회절에 따른 한쌍의 상기 제2포토레지스트전극을 연결한 멤브레인구조물을 형성하는 단계;(d)상기 (c)단계에 의해 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 현상하여 제거하는 단계; 및(e)상기 제1, 제2포토레지스트전극 및 상기 멤브레인구조물을 열분해하여 제1,제2탄소전극과 탄소멤브레인구조물로 변환하여 완성하는 단계가 포함되는 센서 제조방법
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삭제
3 3
삭제
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청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트는 SU-8인 센서 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제3포토마스크의 투과부는 미세타공으로 형성되는 센서 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제3포토마스크의 투과부는 반투명한 스크린으로 형성되는 센서 제조방법
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청구항 1의 제조방법에 의하여 제조되는 센서로,기판의 상면에 형성된 절연층의 상면에 형성되는 제1탄소전극;상기 제1탄소전극을 중심에 두고 서로 이격 형성되는 한쌍의 제2탄소전극;한쌍의 상기 제2탄소전극 상부를 서로 연결하고, 상기 제1탄소전극 상부에 배치되는 탄소멤브레인구조물;을 포함하는 센서
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청구항 7에 있어서,상기 탄소멤브레인구조물은 박막으로 형성된 탄소멤브레인과 상기 탄소멤브레인 주변을 따라 형성되며 상기 탄소멤브레인의 두께보다 더 두껍게 형성되어 상기 탄소멤브레인을 지지하는 백본(back bone)을 포함하는 센서
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패밀리정보가 없습니다
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