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수분, 산소, 또는 수분 중에 함유된 각종 이온에 의해 산화되어 부식되는 금속재료; 상기 금속재료 상에 형성되며, 유기 실록산 소스가스가 대기압 플라즈마 장치를 거쳐 생성되는 유기실리콘 화합물로 이루어진 유기실리콘 화합물층;상기 유기실리콘 화합물층 상에 형성되며, 상기 유기 실록산 소스가스가 상기 대기압 플라즈마 장치를 거쳐 생성되는 산화실리콘 화합물로 이루어진 산화실리콘 화합물층으로 이루어지고,상기 유기실리콘 화합물층과 상기 산화실리콘 화합물층은 교대로 반복되어 적층되는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 대기압 플라즈마 장치는 대기압 DBD인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 금속재료는 Mg, Al, Fe 및 이들의 합금 중에 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 유기실리콘 화합물층은 산화제가스가 상기 대기압 플라즈마 장치를 거쳐 생성되는 산소 플라즈마를 이용하여 처리된 유기실리콘 화합물층인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제4항에 있어서, 상기 산화제 가스는 O2, O3, NO, NO2, N2O, N2O3 및 N2O4 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제5항에 있어서, 상기 산화제 가스는 산소(O2)인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 유기 실록산 소스가스는 테트라메틸디실록산(TMDSO), 헥사메틸디실록산(HMDSO), 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS) 및 헥사메틸사이클로트리실록산(HMCTSO) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제7항에 있어서, 상기 유기 실록산 소스가스는 헥사메틸사이클로트리실록산(HMCTSO)인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 유기 실리콘 화합물은 SiOxCy-H(1
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제1항에 있어서, 상기 산화실리콘 화합물은 SiO2 화합물인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 유기실리콘 화합물이 도포되기 이전에, 상기 금속재료의 표면에 요철을 형성하는 플라즈마 처리를 하여 발생하는 표면처리층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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제1항에 있어서, 상기 유기실리콘 화합물층 또는 상기 산화실리콘 화합물층이 적층된 최외곽층 상에 형성되고, 발수성을 부여하는 발수층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용하여 부식방지 처리된 금속재료
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