맞춤기술찾기

이전대상기술

CMOS 회로가 집적된 마이크로폰 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062291
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 간단한 공정으로 소형화된 CMOS 회로가 집적된 마이크로폰 및 그 제조방법이 제안된다. 제안된 마이크로폰은 CMOS 회로가 집적된 마이크로폰으로서, 실리콘 기판상에 실리콘 나노와이어를 포함하는 음향센서 및 CMOS 신호처리 회로가 일체형으로 위치한다.
Int. CL H04R 31/00 (2006.01) H04R 19/04 (2006.01)
CPC H04R 19/005(2013.01) H04R 19/005(2013.01) H04R 19/005(2013.01)
출원번호/일자 1020120058443 (2012.05.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1388141-0000 (2014.04.16)
공개번호/일자 10-2013-0134724 (2013.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.31)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정석원 대한민국 경기 오산
2 이국녕 대한민국 서울 성북구
3 이민호 대한민국 서울 영등포구
4 성우경 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0437459-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0457597-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0800178-02
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0800196-13
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0022919-71
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2014.02.11 수리 (Accepted) 7-1-2014-0004977-35
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.03.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0249248-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0249190-59
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0229137-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
실리콘 기판상에 이방성 실리콘 식각 및 습식 산화막 형성으로 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계;상기 실리콘 나노와이어가 형성된 실리콘 기판상에 실리콘 질화막을 형성한 후, 상기 실리콘 질화막의 일부를 제거하고 p-MOSFET 및 n-MOSFET를 형성하여 CMOS 신호처리 회로를 형성하는 단계;상기 실리콘 기판을 제거하여 상기 실리콘 나노와이어를 외부로 노출시키고 상기 실리콘 나노와이어를 상기 CMOS 신호처리 회로와 전기적으로 절연시켜 압저항 변화를 센싱하는 음향센서를 형성하는 단계; 및상기 실리콘 나노와이어가 형성된 영역상의 실리콘 질화막 영역에 지지수단을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 지지수단은 상기 실리콘 나노와이어의 양단에 적층된 실리콘 질화막 영역에 형성된 폴리이미드 구조물이며,상기 음향센서 및 상기 센싱된 압저항 변화 신호를 처리하는 CMOS 신호처리 회로가 일체형으로 형성된 CMOS 회로가 집적된 마이크로폰 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어의 양단의 실리콘 기판을 식각하여 트렌치를 형성하여 상기 실리콘 나노와이어를 상기 CMOS 신호처리 회로와 전기적으로 절연시키는 것을 특징으로 하는 CMOS 회로가 집적된 마이크로폰 제조방법
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 실리콘 나노와이어의 양단의 실리콘 기판에 불순물을 도핑하여 상기 실리콘 나노와이어를 상기 CMOS 신호처리 회로와 전기적으로 절연시키는 것을 특징으로 하는 CMOS 회로가 집적된 마이크로폰 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 차세대 지능형 정보전자핵심기술개발사업 I-Real Sound Platform 기술 개발