맞춤기술찾기

이전대상기술

마이크로스트립 라인 대역여파기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062328
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 유전체 세라믹과 은 페이스트로 구성되는 제조공정이 단순하고 생산비용이 낮은 마이크로스트립 라인 대역여파기는 세라믹 유전체 기판의 바닥 전체면에 은 페이스트를 도포하여 건조한 후, 입출력 단자와 접지면을 제외한 부분을 레이저 빔으로 식각하여 패턴을 형성하고 열처리 한 후 금속 막을 형성한다. 이어서 측면 단자를 금속화하기 위하여 전술의 방법과 같이 은 페이스트를 도포하고 열처리하여 금속막을 형성한다. 이때 윗면에 마이크로스트립 라인으로 형성될 대역여파기 패턴의 입출력부와 전기적으로 완전히 연결될 수 있도록 형성한다. 윗면에 마이크로스트립 라인 대역여파기의 패턴을 형성하기 위하여 윗면 전체에 은 페이스트를 도포하고 건조하고, 패턴을 제외한 부분을 레이저 빔으로 제거한 후 열처리하여 금속의 마이크로스트립 라인을 완성한다.종래의 마이크로스트립라인 대역여파기의 제조 공정은 포토리소그래피 공정을 이용하였으며 필름제작, 유제처리, 노광작업, 현상작업, 에칭작업 등의 일련의 공정을 수 차례 반복하여 그 비용이 매우 높고 공정이 복잡하였으나, 본 발명의 제조 공정은 은 페이스트 도포와 레이저빔 작업, 열처리만으로 완성되므로 간단한 공정과 생산비용의 감소 및 대량생산의 용이성이 매우 큰 효과가 있다.
Int. CL H01P 1/203 (2006.01)
CPC H01P 1/203(2013.01) H01P 1/203(2013.01) H01P 1/203(2013.01) H01P 1/203(2013.01)
출원번호/일자 1020120081234 (2012.07.25)
출원인 한밭대학교 산학협력단, 강병돈
등록번호/일자 10-1380016-0000 (2014.03.25)
공개번호/일자 10-2014-0013582 (2014.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.25)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
2 강병돈 대한민국 대전광역시 중구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 구본급 대한민국 대전광역시 유성구
2 강병돈 대한민국 대전광역시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김지형 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협은행 *층 ***호 선진국제특허법률사무소(선진국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
2 강병돈 대전광역시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0595256-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070229-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0741264-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0986473-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0986526-04
7 등록결정서
Decision to grant
2014.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0183208-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-0085888-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
마이크로스트립 라인 대역여파기에 있어서,배면과 네 측면에 접지가 구비되는 세라믹 유전체 기판; 및상기 유전체 기판의 배면 및 네 측면을 은 페이스트로 도포하여 금속막을 형성시킨 다음 레이저 빔 식각공정으로 형성되는 측면전극 및 접지전극; 및 상기 세라믹 유전체 기판의 윗면은 레이저 빔 식각 공정으로 형성되는 마이크로스트립 라인 대역여파기 패턴; 및상기 세라믹 유전체 기판의 측면에 형성되는 접지전극 및 입출력단자와 절연을 유지할 수 있는 레이저 천공홀; 및상기 세라믹 유전체 기판의 배면에 형성되는 접지면; 및상기 접지면과 입출력단자를 절연시켜 주는 공극면으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로스트립 라인 대역여파기
2 2
제 1항에 있어서,상기 세라믹 유전체 기판의 두께는 0
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 세라믹 유전체 기판의 네 측면과 바닥면에 325메쉬의 스테인리스 망을 이용하여 은 페이스트를 도포한 후 열처리하여 금속화된 은막; 및상기 세라믹 유전체 기판의 윗면에 400메쉬의 스테인리스 망을 사용하여 도포되는 은 페이스트; 및상기 은 페이스트는 스테인리스망과 기판 면의 거리가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.