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태양전지용 SiCx 패시베이션 박막 형성방법 및 이에 의해 제조되는 패시베이션 박막을 구비한 태양전지

  • 기술번호 : KST2014062330
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패시베이션용 SiCx 박막을 제작하는 기술에 관한 것으로, 특히 Si 타겟을 구비한 제1타겟모듈과 C 타겟을 구비한 제2타겟모듈을 구비한 스퍼터링 챔버 내로 기판을 장입하는 1단계와 상기 스퍼터링 챔버내를 진공 상태로 만들고, 이온화용 가스를 상기 스퍼터링 챔버 내로 주입하는 2단계, 상기 제1 및 제2 타켓모듈의 전극에 RF 전원을 인가하여 상기 Si 및 C 타켓과 기판 사이에 이온화용 가스를 이온화시켜 플라즈마를 형성하는 3단계, 상기 플라즈마 상태로 이온화된 이온들을 상기 타겟에 충돌시켜 스퍼터링된 타겟 물질이 상기 기판 상에 연속적으로 증착시켜 SICx 패시베이션 막을 형성하는 4단계를 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01)
출원번호/일자 1020120070675 (2012.06.29)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1379221-0000 (2014.03.24)
공개번호/일자 10-2014-0003827 (2014.01.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연호 대한민국 대전 유성구
2 이상준 대한민국 대전 동구
3 최원석 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)네프 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0521256-19
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0352378-95
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802582-27
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0057931-82
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0057991-11
6 등록결정서
Decision to grant
2014.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0199852-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-0085888-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P 타입 실리콘 웨이퍼 기판(140)을 트라이크로로에틸렌, 아세톤, 메탄올 및 증류수를 이용하여 10분 동안 세정하는 1차 표면처리공정과,산성용액을 이용하여 상기 기판(140)의 표면을 45초간 세정하는 2차 표면처리공정이 수행되는 단계;Si 타겟(122)을 구비한 제1타겟모듈(120)과 C 타겟(132)을 구비한 제2타겟모듈(130)을 구비한 스퍼터링 챔버(110) 내로 상기 기판(140)을 장입하는 1단계;상기 스퍼터링 챔버(110)내를 진공 상태로 만들고, 이온화용 Ne 또는 N2 가스를 상기 스퍼터링 챔버(110) 내로 주입하는 2단계;상기 제1 및 제2 타켓모듈(120, 130)의 전극에 출력이 150W 내지 300W의 RF 전원을 인가하여 상기 Si 및 C 타켓(122, 132)과 기판(140) 사이에 이온화용 가스를 이온화시켜 플라즈마를 형성하는 3단계; 및상기 플라즈마 상태로 이온화된 이온들을 상기 타겟(122, 132)에 충돌시켜 스퍼터링된 타겟 물질이 상기 기판(140) 상에 연속적으로 증착시켜 SiCx 패시베이션 막을 형성하는 4단계;를 포함하며,상기 SiCx 패시베이션 박막의 굴절율은 2
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7 7
P 타입 실리콘 웨이퍼 기판;상기 P 타입 실리콘 웨이퍼 기판 상에 형성되는 청구항 1의 방법에 의해 형성되는 SiCx 패시베이션박막;상기 패시베이션박막과 전기적으로 연결된 제1전극; 및상기 P 타입 실리콘 웨이퍼 기판과 전기적으로 연결된 제2전극;을 포함하여 구성되는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.