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무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062404
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물에 관한 것으로, 상기 도전성 비아 페이스트 조성물은, 하나 이상의 도전성 재료로 이루어진 도전성 재료 혼합물; 및 열경화성 수지 및 열경화성 수지 경화제로 이루어진 열경화성 수지 혼합물을 포함하고, 상기 경화제는 열경화성 수지의 경화 온도를 상기 도전성 재료 혼합물의 소결 온도 이상으로 유지하도록 선택된 것을 특징적 구성으로 포함한다.
Int. CL H05K 3/02 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01)
CPC H01B 1/22(2013.01) H01B 1/22(2013.01) H01B 1/22(2013.01) H01B 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020120043582 (2012.04.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1348950-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자 10-2013-0120578 (2013.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성대 대한민국 서울특별시 송파구
2 임호선 대한민국 서울특별시 중랑구
3 김승남 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 진성우 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0332531-82
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0118752-35
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.02 수리 (Accepted) 9-1-2013-0030872-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0472392-52
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0821306-97
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0910929-86
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1019898-71
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1117573-14
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1117563-68
12 등록결정서
Decision to grant
2013.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0883636-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물에 있어서, 상기 도전성 비아 페이스트 조성물은, 하나 이상의 도전성 재료로 이루어진 도전성 재료 혼합물; 및 열경화성 수지 및 열경화성 수지 경화제로 이루어진 열경화성 수지 혼합물을 포함하고, 상기 도전성 재료 혼합물은, 마이크로 입자 사이즈의 구형의 은(Ag) 분말과, 마이크로 입자 사이즈의 플레이크형 은 분말과, 나노 입자 사이즈의 은 나노 입자를 포함하고, 상기 경화제는 열경화성 수지의 경화 온도를 상기 도전성 재료 혼합물의 소결 온도 이상으로 유지하도록, 아민계 경화제 및 산무수물계 경화제 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물에서 선택되고, 상기 경화제는 4,4'-디아미노디페닐 술폰(diaminodiphenyl sulfone), 헥사하이드로-4-메틸프탈릭 안하이드라이드(hexahydro-4-methylphthalic anhydride), 및 메틸 사이클로헥센-1,2-디카르복실 안하이드라이드(methyl cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride) 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 도전성 재료 혼합물은 100℃ 내지 170℃의 범위에서 소결 시작 온도를 가지도록 선택되고, 상기 경화제는 상기 열경화성 수지의 경화 온도를 170℃ 내지 220℃ 범위에서 유지하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물
3 3
제1항에 있어서,상기 도전성 재료 혼합물은, 1~10㎛ 입자 크기를 가진 구형의 은(Ag) 분말과, 1-20㎛ 입자 크기를 가진 플레이크형 은 분말과, 1-100nm 입자 크기를 가진 은 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물
4 4
제3항에 있어서,상기 열경화성 수지는 에폭시기를 두개 이상 가지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 아민형 에폭시 수지, 나프탈렌 기반 에폭시 수지, 네오펜틸글리콜형 에폭시 수지, 헥산디넬글리콜형 에폭시 수지, 레졸신형 에폭시 수지 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물
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삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,경화조제를 더 포함하고,상기 경화조제는, N,N'-디메틸벤질아민(N,N'-dimethyl benzylamine), 2-에틸-4-메틸-이미다졸 (2-ethyl-4-methyl imidazole), 트리페닐포스핀(triphenylphosphine)로 부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물
8 8
무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물의 제조 방법으로서,하나 이상의 도전성 재료로 이루어진 도전성 재료 혼합물과 열경화성 수지를 제공하는 단계; 상기 열경화성 수지에 대한 경화제를 선택하는 단계로서, 상기 열경화성 수지의 경화 온도를 상기 도전성 재료 혼합물의 소결 온도보다 높게 유지하도록 경화제를 선택하는 단계;상기 도전성 재료 혼합물과, 상기 열경화성 수지와, 상기 경화제를 혼합하는 단계를 포함하고,상기 도전성 재료 혼합물은, 마이크로 입자 사이즈의 구형의 은(Ag) 분말과, 마이크로 입자 사이즈의 플레이크형 은 분말과, 나노 입자 사이즈의 은 나노 입자를 포함하고, 상기 경화제는 열경화성 수지의 경화 온도를 상기 도전성 재료 혼합물의 소결 온도 이상으로 유지하도록, 아민계 경화제 및 산무수물계 경화제 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물에서 선택되고, 상기 경화제는 4,4'-디아미노디페닐 술폰(diaminodiphenyl sulfone), 헥사하이드로-4-메틸프탈릭 안하이드라이드(hexahydro-4-methylphthalic anhydride), 및 메틸 사이클로헥센-1,2-디카르복실 안하이드라이드(methyl cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride) 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 도전성 재료 혼합물은 100℃ 내지 170℃의 범위에서 소결 시작 온도를 가지도록 선택되고, 상기 경화제는 상기 열경화성 수지의 경화 온도를 170℃ 내지 220℃ 범위에서 유지하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 도전성 비아 페이스트 조성물의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 SKC 소재원천기술개발사업 무소결 고충전 공정을 이용한 근거리 통신용 고투자율 Magnet Sheet, 고방열 LED PKG 부품 및 3D PKG 기반 기술 개발