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실리콘 기판 상부 및 하부에 제1 절연막을 형성하는 (a)단계:상기 실리콘 기판 상부의 제1 절연막 상부에 가열 전극 패턴을 형성하고, 상기 가열 전극 패턴 양측에 가열 전극 패드를 형성하는 (b)단계:상기 가열 전극 패턴 및 가열 전극 패드를 감싸며, 상기 제1 절연막 상부에 제2 절연막을 형성하는 (c)단계:상기 복수 개의 가열 전극 패드 상부에 형성된 상기 제2 절연막을 식각하는 (d)단계:상기 복수 개의 가열 전극 패드 및 상기 제2 절연막 상부에 복수 개의 감지 전극 패드를 형성하는 (e)단계:상기 가열 전극 패턴이 형성된 영역의 실리콘 기판 및 하부 제1 절연막을 제거하여 멤브레인(Membrane)을 형성하는 (f)단계:상기 제2 절연막 상에 형성된 복수 개의 감지 전극 패드의 상호 이격된 영역에 Bi2O3-B2O3-SiO2계의 물질 또는 산화 주석(SnO2) 겔(gel)로 이루어지는 무기바인더를 도포 및 건조하는 (g)단계:상기 무기바인더 상부 및 상기 복수 개의 감지 전극 패드 상부에 감지물질을 도포하여 열처리함으로써 감지막을 형성하는 (h)단계를 포함하는 반도체식 마이크로 가스 센서 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 감지막 상부에 감지물질을 도포하여 열처리함으로써 감지막을 추가적으로 형성하는 (i)단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식 마이크로 가스 센서 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 (f)단계 이후에,상기 제2 절연막 상에 상기 복수 개의 감지 전극 패드를 감싸면서, 상기 무기바인더와 상기 감지물질을 혼합한 슬러리를 도포한 후 건조 및 열처리하여 무기바인더가 혼합된 감지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 마이크로 가스 센서 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제2 절연막은,실리콘 산화물(Si02), 실리콘 질화물(SiNX) 및 실리콘 산화물(Si02)이 순차적으로 증착된 삼중막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체식 마이크로 가스 센서 및 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 감지물질은,산화 주석(SnO2), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3), 산화 티타늄(TiO2), 그리고 이들 재료에 백금(Pt) 또는/그리고 팔라듐(Pd)이 혼합된 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체식 마이크로 가스 센서 및 제조 방법
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제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 반도체식 마이크로 가스 센서
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실리콘 기판 상부 및 하부에 제1 절연막을 형성하는 (a)단계:상기 실리콘 기판 상부의 제1 절연막 상부에 가열 전극 패턴을 형성하고, 상기 가열 전극 패턴 양측에 가열 전극 패드를 형성하는 (b)단계:상기 가열 전극 패턴 및 가열 전극 패드를 감싸며, 상기 제1 절연막 상부에 제2 절연막을 형성하는 (c)단계:상기 복수 개의 가열 전극 패드 상부에 형성된 상기 제2 절연막을 식각하는 (d)단계:상기 가열 전극 패턴이 형성된 영역의 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판의 하부 제1 절연막을 제거하여 멤브레인(Membrane)을 형성하는 (e)단계:상기 가열 전극 패턴 상의 상기 제2 절연막 상부에 Bi2O3-B2O3-SiO2계의 물질 또는 산화 주석(SnO2) 겔(gel)로 이루어지는 무기바인더를 도포 및 건조하는 (f)단계:상기 무기바인더 상부 및 상기 복수 개의 감지 전극 패드 상부에 감지물질을 도포하여 열처리함으로써 감지막을 형성하는 (g)단계를 포함하는 접촉연소식 마이크로 가스 센서 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 감지막 상부에 감지물질을 도포하여 열처리함으로써 감지막을 추가적으로 형성하는 (h)단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉연소식 마이크로 가스 센서 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 (e)단계 이후에,상기 가열 전극 패턴 상의 상기 제2 절연막 상부에 상기 무기바인더와 상기 감지물질을 혼합한 슬러리를 도포한 후 건조 및 열처리하여 무기바인더가 혼합된 감지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 접촉연소식 마이크로 가스 센서 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 제2 절연막은,실리콘 산화물(Si02), 실리콘 질화물(SiNX) 및 실리콘 산화물(Si02)이 순차적으로 증착된 삼중막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 접촉연소식 마이크로 가스 센서 및 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 감지물질은,산화 주석(SnO2), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3), 산화 티타늄(TiO2), 그리고 이들 재료에 백금(Pt) 또는/그리고 팔라듐(Pd)이 혼합된 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉연소식 마이크로 가스 센서 및 제조 방법
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삭제
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제8 항 내지 제12 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 접촉연소식 마이크로 가스 센서
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