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플렉서블 하이브리드 투명전극 가공 기술

  • 기술번호 : KST2014062450
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판에 관한 것으로, 상세하게는 기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 4)를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법은 희생층을 이용하여 금속 배선을 유연기판 내부에 삽입된 형태로 형성시킬 수 있으며, 금속 배선의 높이에 제한되지 않고 낮은 저항의 배선을 형성시킬 수 있다. 또한, 희생층을 이용하여 기판으로부터 금속배선이 함몰된 유연기판을 박리시킴에 따라, 박리 후에도 금속배선 및 유연기판의 원형을 유지시킬 수 있으며, 어떠한 이형의 물질도 잔류하지 않는 효과가 있다.
Int. CL B32B 15/08 (2006.01) H05K 1/02 (2006.01) H05K 3/28 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120026063 (2012.03.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1191865-0000 (2012.10.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110036471   |   2011.04.20
대한민국  |   1020110036472   |   2011.04.20
대한민국  |   1020110065499   |   2011.07.01
대한민국  |   1020110079720   |   2011.08.10
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.14)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구
2 김도근 대한민국 경남 창원시 성산구
3 김종국 대한민국 경남 창원시 성산구
4 정성훈 대한민국 서울 은평구
5 송명관 대한민국 울산 중구
6 유대성 대한민국 경남 창원시 마산합포구
7 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
8 남기석 대한민국 경남 창원시 의창구
9 이승훈 대한민국 서울 성동구
10 나종주 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0206077-87
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0206608-21
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0240155-37
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.04.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2012-0025723-82
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0457445-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0629610-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0601322-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2);상기 단계 2의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 및상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 4)를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
2 2
기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자 층을 코팅하는 단계(단계 3); 상기 단계 3의 경화성 고분자 층 상부에 기능성 유연기판을 접착시킨 후, 상기 경화성 고분자층을 경화시키는 단계(단계 4); 및 상기 단계 1의 기판과 단계 4의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 상기 단계 4의 기능성 유연기판이 접착된 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 5)를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
3 3
기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅시키고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 4); 및 상기 단계 4에서 분리된 고분자 층의 금속 배선이 노출된 표면 상부로 투명전극을 증착 또는 코팅하는 단계(단계 5);를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
4 4
기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2);상기 단계 2의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅시키고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3);상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 1의 기판과 단계 3의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 4); 및 상기 단계 4에서 고분자 층과 기판이 분리됨으로써 노출되는 금속배선의 표면으로 금속전극을 전기도금하는 단계(단계 5)를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
5 5
기판상에 박리층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 코팅된 박리층 상부로 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 3);상기 단계 3의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 4); 물리적 힘을 가하여 상기 단계 1의 기판 및 박리층을 제거하는 단계(단계 5); 및상기 단계 5에서 상기 단계 1의 기판이 제거됨으로써 노출되는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하는 단계(단계 6);를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
6 6
기판상에 박리층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 코팅된 박리층 상부로 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 3);상기 단계 3의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자 층을 코팅하는 단계(단계 4); 상기 단계 4의 경화성 고분자 층 상부에 기능성 유연기판을 접착시킨 후, 상기 경화성 고분자층을 경화시키는 단계(단계 5); 물리적 힘을 가하여 상기 단계 1의 기판 및 박리층을 제거하는 단계(단계 6); 및 상기 단계 6에서 상기 단계 1의 기판이 제거됨으로써 노출되는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하는 단계(단계 7);를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
7 7
기판상에 박리층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 코팅된 박리층 상부로 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 3);상기 단계 3의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 4); 물리적 힘을 가하여 상기 단계 1의 기판 및 박리층을 제거하는 단계(단계 5); 상기 단계 5에서 상기 단계 1의 기판이 제거됨으로써 노출되는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하는 단계(단계 6); 및상기 단계 6에서 희생층이 제거됨으로써 금속 배선이 노출된 표면 상부로 투명전극을 증착 또는 코팅하는 단계(단계 7);를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
8 8
기판상에 박리층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 코팅된 박리층 상부로 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 3);상기 단계 3의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 4); 물리적 힘을 가하여 상기 단계 1의 기판 및 박리층을 제거하는 단계(단계 5); 상기 단계 5에서 상기 단계 1의 기판이 제거됨으로써 노출되는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하는 단계(단계 6); 및상기 단계 6에서 희생층이 제거됨으로써 노출되는 금속배선의 표면으로 금속전극을 전기도금하는 단계(단계 7);를 포함하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
9 9
제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박리층은 불소계 수지 또는 실리콘 수지인 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연(flexible) 기판의 제조방법
10 10
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 희생층은 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌 글라이콜 및 카르복시메틸셀룰로오스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 고분자를 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
11 11
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 희생층은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 감광성 고분자(포토레지스트, PR) 물질인 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
12 12
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 배선은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
13 13
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 배선은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이의 혼합물을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
14 14
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 배선은 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아 오프셋, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 전기도금, 진공증착 또는 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
15 15
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀고분자(COP), 사이클로올레핀코고분자(COC), 디시클로펜타디엔고분자(DCPD), 시클로펜타디엔고분자(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
16 16
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화는 열 경화, 자외선 경화, 습기 경화, 건조경화, 화학반응경화, 마이크로 웨이브 경화(microwave), 적외선(IR) 경화 또는 냉각경화인 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
17 17
제2항 또는 제6항에 있어서, 상기 기능성 유연기판의 표면은 자외선 차단막, 파장제어막, 광 집속막, 방오성막 또는 투습/투산소 방지막이 코팅되거나, 또는 텍스쳐링(texturing) 처리된 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
18 18
제3항 또는 제7항에 있어서, 상기 단계 5의 투명전극은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 산화물 또는 금속 산화물-금속-금속 산화물; PEDOT:PSS 또는 폴리아닐린(PANI)인 유기전도체;은 박막 또는 금 박막인 금속박막;은 나노와이어(nanowire), 금 나노와이어, 구리 나노와이어 또는 백금 나노와이어 박막; 또는탄소나노튜브 (carbon nanotube) 또는 그래핀 (graphene)을 포함하는 탄소(carbon)계 물질;로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
19 19
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조되어 고분자 층 및 금속 배선이 순차적으로 적층되고 상기 금속 배선은 상기 고분자 층 내부에 구비되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판
20 20
제19항에 있어서, 상기 유연 기판은 태양전지, 면조명, e-페이퍼, 터치패널 또는 디스플레이 기판으로 이용되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판
21 21
제19항에 있어서, 상기 유연 기판은 인쇄 배선 기판(Printed Wiring Board, PCB), 태양전지용 기판, 디스플레이용 기판, 전파식별 기판(Radio Frequency Identification, RFID), 센서용 기판 또는 이차전지용 기판 소재의 보조전극으로 이용되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09445504 US 미국 FAMILY
2 US20140000943 US 미국 FAMILY
3 WO2012144827 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012144827 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014000943 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9445504 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 재료연구소 신재생에너지기술개발사업 차세대 고효율 하이브리드 태양전지 원천기술 개발
2 지식경제부 재료연구소 재료연구소 주요사업 미세금속 배선적용 유연 투명전도막 형성기술 개발