맞춤기술찾기

이전대상기술

전 고상 박막전지용 양극 박막, 그 제조방법 및 이를이용한 리튬 박막전지

  • 기술번호 : KST2014062482
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판에 음의 바이어스 전압을 인가하면서 상온에서 상기 기판 상에 양극 활물질을 증착시켜, 열처리 공정을 거치지 않고 결정화된 양극 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 전기 화학적 특성이 우수한 전 고상 박막전지용 양극 박막의 제조방법, 이러한 방법으로 제조된 양극 박막 및 이를 이용한 전 고상 리튬 박막전지에 관한 것이다. 박막, 박막 양극, 나노 구조, 리튬코발트산화물, 박막전지, 바이어스
Int. CL H01M 10/0525 (2011.01) H01M 4/139 (2011.01) H01M 10/058 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020030041729 (2003.06.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0495674-0000 (2005.06.07)
공개번호/일자 10-2005-0001542 (2005.01.07) 문서열기
공고번호/일자 (20050616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.06.25)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조원일 대한민국 서울특별시노원구
2 조병원 대한민국 서울특별시은평구
3 김형선 대한민국 서울특별시용산구
4 오시형 대한민국 경상북도 경주시
5 김현중 대한민국 서울특별시송파구
6 박호영 대한민국 서울특별시강남구
7 이영재 대한민국 서울특별시강북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0228594-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0019027-95
4 등록결정서
Decision to grant
2005.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0233950-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 라디오 주파 전원 공급 장치를 이용하여 0 V 내지 -70 V 범위(0은 제외한다)의 음의 바이어스 전압을 인가하면서 양극 활물질을 상온에서 증착시켜 상기 기판 상에 결정화된 양극 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 실리콘 기판, 유리, 폴리머 또는 융점이 낮은 금속 기판인 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 양극 활물질이 리튬과 전이금속의 복합 산화물인 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전이금속이 코발트, 망간, 니켈, 철 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것인 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 전이금속이 코발트, 망간, 니켈, 철 또는 이들의 혼합물에, 비스무트, 갈륨, 마그네슘 및 아연으로 구성된 군에서 선택되는 금속이 상기 코발트, 망간, 니켈, 철 또는 이들의 혼합물에 대하여 5 중량% 이하(0은 제외한다)의 양으로 첨가된 것인 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 양극 활물질이 LiCoO2, LiNiO2, LiMn2O4, V2O5, LiFePO4, TiS2 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 것인 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 증착이 가열 증착법, 전자선 증착법, 스퍼터링법, 이온선 증착법 및 레이저 어블레이션법 중에서 선택되는 물리적 증착법, 또는 저압- 및 상압-CVD, 플라즈마 도움-CVD 및 유기금속-CVD 중에서 선택되는 화학적 증착법, 졸-겔법, 스핀코팅법 또는 정전 분무법에 의하여 수행되는, 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 있어서, 기판 상에 형성된 결정화된 양극 박막 상에 추가로 산화알루미늄, 산화지르코늄 및 산화티타늄으로 구성된 군에서 선택되는 금속 산화물 층을 단일 상으로 혹은 복합 상으로 두께 1 ㎛ 이하로 피복하는 것을 특징으로 하는 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막의 제조방법
9 9
초기 방전 용량이 63 μAh/cm2·㎛, 약 65 - 약 500 사이클에서의 방전 용량이 30 μAh/cm2·㎛이고, 두께가 200 nm - 500 nm 이며, 5 ㎚ - 30 ㎚ 크기의 미세 결정 구조를 갖는, 제 1 항에 따른 방법으로 제조된 전 고상 리튬 박막전지용 양극 박막
10 10
제 9 항에 따른 양극 박막, 고체 전해질 및 음극으로 구성된 전 고상 리튬 박막 이차전지
11 11
제 10 항에 있어서, 양극 박막, 고체 전해질 및 음극을 양극 박막/고체 전해질/음극/고체 전해질/양극 박막/고체 전해질/음극의 순으로 연속적으로 증착시켜 다층 구조로 구성한 전 고상 리튬 박막 이차전지
12 12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 고체 전해질 층이 리튬 포스페이트 옥시나이트라이드, 리튬 포스페이트 옥시나이트라이드와 Li3N의 균일상 혼합물 또는 리튬 포스페이트 옥시나이트라이드와 Li3N이 교대로 증착된 것인 전 고상 리튬 박막 이차전지
13 12
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 고체 전해질 층이 리튬 포스페이트 옥시나이트라이드, 리튬 포스페이트 옥시나이트라이드와 Li3N의 균일상 혼합물 또는 리튬 포스페이트 옥시나이트라이드와 Li3N이 교대로 증착된 것인 전 고상 리튬 박막 이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.