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Ｃｄ/Ｈｇ 분위기에서 열처리에 의한 ＨｇＣｄＴｅ 접합다이오드의 패시배이션 방법

  • 기술번호 : KST2014062488
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 II-VI족 화합물로 이루어진 HgCdTe 반도체에 Cd 조성이 높은 양질의 HgCdTe 보호막을 형성하여 성능이 우수한 광 다이오드를 제조하는 방법이다.본 발명은 Cd 조성이 높은 HgCdTe를 패시배이션 층으로 사용하고, 열처리에 의해 Cd과 Hg 혼합 증기 분위기를 형성하여 Cd 증기로부터 Cd이 HgCdTe 표면으로 확산해 들어감으로써 패시배이션 층을 형성시킨다. 또한, 열처리의 온도와 시간을 조절하여 가장 바깥쪽 표면부의 Cd 조성과 패시배이션 층의 두께를 조정할 수 있다. 본 발명의 방법에 의하면, CdTe의 증착 공정이 필요하지 않아 패시배이션 공정이 간단하면서도 조절이 용이하며 고가의 장비가 필요하지 않다.패시배이션, 광 다이오드, HgCdTe, Cd, 확산
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010037515 (2001.06.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0422294-0000 (2004.02.27)
공개번호/일자 10-2003-0001145 (2003.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20040312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서상희 대한민국 서울특별시강남구
2 김진상 대한민국 서울특별시동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0157760-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2003-0019387-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0245722-12
6 의견서
Written Opinion		 2003.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0319255-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0064154-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

2층 또는 다층 구조의 HgCdTe 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계,

상기 웨이퍼를 식각하는 단계 및

식각된 HgCdTe 웨이퍼를 Cd 및 Hg와 함께 섭씨 300 내지 400도의 온도에서 열처리하여 증기 상태의 Cd을 HgCdTe 반도체 웨이퍼 내부로 확산시켜 HgCdTe 표면부의 Cd 조성을 내부보다 높게 만들어 패시배이션 층을 형성하는 단계

를 포함하는, HgCdTe 반도체 웨이퍼에 패시배이션 층을 형성하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 식각된 HgCdTe 웨이퍼와 Cd 및 Hg의 열처리가 진공 밀폐된 용기에서 수행되는 것인 방법

3 3

제1항 또는 2항에 있어서, 열처리가 섭씨 350 내지 400도의 온도에서 2 내지 5 시간의 가열에 의해서 수행되는 것인 방법

4 4

제1항 또는 2항에 있어서, 식각 단계가 사진 식각에 의해서 수행되는 것인 방법

5 5

제1항의 방법에 따라 패시배이션 층이 형성된 HgCdTe 반도체 웨이퍼의 패시배이션 층 위에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는, HgCdTe 반도체 접합 다이오드 소자의 제조 방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 절연층 위에 금속 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는 방법

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1 US20030000454 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003000454 US 미국 DOCDBFAMILY
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