맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

인듐주석산화물 막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062498
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 막의 제조방법에 관한 것으로, 유리 기판 상에 ITO 슬러리(slurry)를 스핀 코팅한 후, 형성되는 슬러리 코팅 막이 완전히 건조되기 전에 그 위에 ITO 졸(sol)을 스핀 코팅하고 건조 및 열처리하는 본 발명의 방법에 따르면, 투과율, 전도도 및 표면 조도 등이 우수한 ITO 투명도전막을 간단하고 효율적이면서도 경제적으로 제조할 수 있다.인듐주석산화물(ITO), 스핀 코팅, ITO 슬러리, ITO 졸, 투명도전막, 투명도, 전도도, 표면 조도
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020060086878 (2006.09.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0804003-0000 (2008.02.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.08)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임경란 대한민국 서울 동대문구
2 김창삼 대한민국 서울 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0651140-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0049103-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0451335-26
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0746486-06
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0040761-79
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 유리 기판 위에 ITO 슬러리(slurry)를 스핀 코팅하는 단계,2) 단계 1)에서 형성된 슬러리 코팅 막이 완전히 건조되기 전에 상기 코팅 막 위에 ITO 졸(sol)을 스핀 코팅하는 단계, 및3) 단계 2)에서 얻은 코팅막 적층체를 건조시킨 후 열처리하여 결정화시키는 단계를 포함하는,ITO 투명도전막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 단계 1)에서 유리 기판을 40 내지 65 ℃ 범위로 예열한 후 ITO 슬러리를 스핀 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 단계 2)에서 35 내지 55 ℃ 범위에서 ITO 졸을 스핀 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 스핀 코팅 공정을 100 내지 200 rpm 범위의 회전속도로 60 내지 120초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제1항에 있어서, 단계 3)에서 건조 공정을 90 내지 120 ℃에서 10분 내지 1시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제1항에 있어서, 단계 3)에서 건조 공정 수행 후 분당 5 내지 10 ℃의 온도로 승온하여 350 내지 600 ℃에서 30분 내지 2시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 5 내지 15 nm 크기의 미세한 ITO 입자와 50 내지 70 nm 크기의 작은 ITO 입자의 크기가 상이한 2 종류의 ITO 입자로 이루어진 미세구조를 갖는, ITO 투명도전막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.