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화학적 방법을 이용하여 미세결정구조의 카드뮴셀레나이드막을 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014062510
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학적 방법을 이용한 카드뮴셀레나이드 막의 제조방법에 관한 것으로서, 황산카드뮴(CdSO4) 수용액에 시트르산나트륨(Na3C6H5O7·3H2O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na2SeSO3) 수용액과 혼합한 후 여기에 증착용 기재를 침지시키는 본 발명의 화학적 방법에 의하면, 미세 육방결정구조의 카드뮴셀레나이드 막을 암모니아를 사용하지 않고 온화한 조건에서 간단하게 제조할 수 있으며, 이 막은 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 공정의 전극으로 유용하게 사용된다.
Int. CL C01G 11/00 (2006.01)
CPC C23C 14/0629(2013.01) C23C 14/0629(2013.01) C23C 14/0629(2013.01) C23C 14/0629(2013.01)
출원번호/일자 1020040007149 (2004.02.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0576934-0000 (2006.04.28)
공개번호/일자 10-2005-0079054 (2005.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주오심 대한민국 서울특별시노원구
2 정광덕 대한민국 서울특별시서초구
3 록핸드씨.디. 인도 서울특별시성북구
4 이은호 대한민국 경상남도하동군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0045718-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0045013-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0490616-30
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0670668-24
6 의견서
Written Opinion		 2005.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0670664-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0071126-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
황산카드뮴(CdSO4) 수용액에 시트르산나트륨(Na3C6H5O7·3H2O) 수용액을 첨가하여 pH를 7 내지 9로 조절한 다음, 이를 셀레노아황산나트륨(Na2SeSO3) 수용액과 혼합한 후 여기에 증착용 기재를 침지시키는 것을 포함하는, 카드뮴셀레나이드(CdSe) 막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 25 내지 80℃의 온도에서 침지반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 황산카드뮴과 셀레노아황산나트륨이 1:1∼5의 몰비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 황산카드뮴 및 셀레노아황산나트륨 수용액 각각이 0
5 5
제 1 항에 있어서, 시트르산나트륨 수용액이 0
6 6
제 1 항에 있어서, 증착용 기재가 티타늄(Ti), 인듐-주석-산화물(ITO, Indium-Tin-Oxide) 코팅된 유리, 스테인레스 스틸(stainless steel), 니켈(Ni), 탄소 및 유리 기판 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 증착된, 미세 육방결정구조의 카드뮴셀레나이드 막
8 8
제 7 항에 있어서, 50 내지 300nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 카드뮴셀레나이드 막
9 9
제 7 항에 있어서,상기 육방결정의 크기가 0
10 9
제 7 항에 있어서,상기 육방결정의 크기가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.