기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연박막증착 방법

기술번호 : KST2014062512
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다. 산화아연 박막, 사파이어(sapphire), 저에너지 이온빔, AlON, AlN, 발광(photoluminescene)
Int. CL	H01J 37/00 (2006.01)
CPC	H01J 37/00(2013.01) H01J 37/00(2013.01) H01J 37/00(2013.01)
출원번호/일자	1020030089429 (2003.12.10)
출원인	한국과학기술연구원
등록번호/일자	10-0566917-0000 (2006.03.27)
공개번호/일자	10-2005-0056417 (2005.06.16) 문서열기
공고번호/일자	(20060403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2003.12.10)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술연구원	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	최원국	대한민국	서울특별시양천구
2	정연식	대한민국	서울특별시동작구
3	박종용	대한민국	서울특별시성북구
4	노영수	대한민국	대전광역시동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이종일	대한민국	서울특별시 영등포구 당산로길 (당산동가) 진양빌딩 층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	(주)쓰리엘시스템		경기도 용인시 기흥구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2003.12.10	수리 (Accepted)	1-1-2003-0471110-34
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.05.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.06.16	수리 (Accepted)	9-1-2005-0036060-35
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.07.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0367067-11
5	의견서 Written Opinion	2005.09.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0544746-10
6	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2005.09.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0544749-57
7	등록결정서 Decision to grant	2006.01.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0043507-34
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 산화아연 박막 형성에 사용되는 사파이어 기판의 전처리방법에 있어서, 활성화 이온빔을 이용하여 상기 사파이어 기판을 세척하는 단계와, 상기 활성화 이온빔을 이용하여 사파이어 기판 표면의 기계적 표면 결함을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 세척단계와 기계적 표면 결함의 제거단계는 동시에 이루어지며, 또한 상온에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 활성화 이온빔은 질소 이온빔이며, 상기 질소 이온빔의 에너지는 플라즈마의 에너지 (0
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 질화물 개질 조건으로서, 진공도가 1×10-4∼1×10-7Torr 범위내에서 설정되고, 상기 질소 이온 플로우율이 2∼10㎖/min 범위내에서 설정되며, 그리고 공정 시간이 1∼300sec 범위내에서 설정되는 조건을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 질소 이온은 N2+ 인 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 표면 개질에 따라 기판 상에 형성되는 질화물은 AlN 또는 AlON 인 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법
6	6 산화아연 박막 형성에 사용되는 사파이어 기판의 전처리방법을 이용한 산화아연 박막증착 방법에 있어서, 활성화 이온빔을 이용하여 상기 사파이어 기판을 세척하는 단계와, 상기 활성화 이온빔을 이용하여 사파이어 기판 표면의 기계적 표면 결함을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 세척단계와 기계적 표면 결함의 제거단계는 동시에 이루어지며, 또한 상온에서 이루어지는 활성화 이온빔에 의한 기판표면 전처리하는 제 1 단계; 및 상기결과물 상에 유도된 AlN과 AlON과 같은 유방정계 격자 배열과 격자 상수(a=3
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 활성화 이온빔은 질소 이온빔이며, 상기 질소 이온빔의 에너지는 플라즈마의 에너지 (0
8	8 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 질화물 개질 조건으로서, 진공도가 1×10-4∼1×10-7Torr 범위내에서 설정되고, 상기 질소 이온 플로우율이 2∼10㎖/min 범위내에서 설정되며, 그리고 공정 시간이 1∼300sec 범위내에서 설정되는 조건을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법을 이용한 산화아연 박막증착 방법
9	9 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 질소 이온은 N2+ 인 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법을 이용한 산화아연 박막증착 방법
10	10 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 표면 개질에 따라 기판 상에 형성되는 질화물은 AlN 또는 AlON 인 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법을 이용한 산화아연 박막증착 방법
11	11 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계는 펄스 레이저 증착법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 사파이어 기판의 전처리방법을 이용한 산화아연 박막증착 방법
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 펄스 레이저 증착법은, 5∼15㎐ 펄스 주기로 KrF 레이저를 0
13	12 제 11 항에 있어서, 상기 펄스 레이저 증착법은, 5∼15㎐ 펄스 주기로 KrF 레이저를 0

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0566917-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20031210 출원 번호 : 1020030089429 공고 연월일 : 20060403 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060125 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01J 37/00 발명의 명칭 : 사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연박막증착 방법 존속기간(예정)만료일 : 20150328

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구...
2	(권리자) (주)쓰리엘시스템 경기도 용인시 기흥구...
2	(의무자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	364,500 원	2006년 03월 28일	납입
제 4 년분	금 액	304,000 원	2009년 03월 02일	납입
제 5 년분	금 액	304,000 원	2010년 02월 25일	납입
제 6 년분	금 액	304,000 원	2011년 02월 28일	납입
제 7 년분	금 액	556,000 원	2012년 02월 28일	납입
제 8 년분	금 액	556,000 원	2013년 03월 04일	납입
제 9 년분	금 액	656,080 원	2014년 09월 19일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2003.12.10	수리 (Accepted)	1-1-2003-0471110-34
2	선행기술조사의뢰서	2005.05.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.06.16	수리 (Accepted)	9-1-2005-0036060-35
4	의견제출통지서	2005.07.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0367067-11
5	의견서	2005.09.28	수리 (Accepted)	1-1-2005-0544746-10
6	명세서등보정서	2005.09.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2005-0544749-57
7	등록결정서	2006.01.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0043507-34
8	출원인정보변경(경정)신고서	2009.12.15	수리 (Accepted)	4-1-2009-5247056-16
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.19	수리 (Accepted)	4-1-2014-5022002-69


기술번호	KST2014062512
자료제공기관	NTB
기술공급기관	기술보증기금(신탁)
기술명	사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연박막증착 방법
기술개요	사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연 박막증착 방법에 대해 개시한다. 본 발명은 사파이어 기판을 150∼200eV 정도의 저에너지 질소이온을 조사하여 이온조사량에 따라 사파이어 표면에 AlON과 AlN 결합을 열처리 없이 상온에서 형성하여 산화아연막 성장시 사파이어 기판과 격자 불일치로 발생하는 계면의 스트레인(strain)을 완화시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 격자 불일치 결함에 의해 발생하는 녹색 발광을 완전히 제거하여 자외선 영역의 에너지 갭에 의한 발광 특성을 향상시킬 수 있으므로 향후 광전자(optoelectric) 부품 제작시 품질 향상 및 수명 연장에 기여할 수 있다. 산화아연 박막, 사파이어(sapphire), 저에너지 이온빔, AlON, AlN, 발광(photoluminescene)
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	사화아연박막증착
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1090002357
세부과제번호	kist2E17730
연구과제명	차세대광-전복합기능핵심소재기술
성과구분	등록
부처명	국무총리실
연구관리전문기관명	국무조정실
연구주관기관명	한국과학기술연구원
성과제출연도	2003
연구기간	200301~200312
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	기타

특허성과

[1020040017150]	저에너지 및 고전력 이온빔을 이용한 고분자 표면의접착력 향상 방법	새창보기
[1020030089429]	사파이어 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 산화아연박막증착 방법	새창보기
[1020030076964]	전기방사된 초극세 산화티타늄 섬유로 이루어진 반도체전극을 가지는 염료감응형 태양전지 및 그 제조방법	새창보기
[1020030076164]	고품질 박막 증착을 위한 황산을 이용한 사파이어 기판전처리 방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택