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ＥＣＲ을 이용한 도전성 고분자수지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062519
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ECR(Electron Cyclotron Resonance)를 이용하여 도입된 반응성 가스 혹은 비활성가스로 고밀도, 고에너지의 플라즈마이온을 형성하여 0.05∼50kV정도의 음(-) 고 직류전압 또는 고주파 펄스전압을 인가하여 이온을 진공조 내의 시료표면으로 물리·화학증착시켜 단일 금속 및 복합 금속막을 형성하여, 결과적으로 대상 고분자수지의 표면특성을 100∼108Ω·cm 범위의 전자도전성으로 변화시켜 ESD방지 및 전자기파차폐용 고분자 수지 제품특성에 맞게 표면개질 하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL C08J 7/00 (2006.01)
CPC C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01)
출원번호/일자 1020010006233 (2001.02.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0415977-0000 (2004.01.09)
공개번호/일자 10-2002-0066051 (2002.08.14) 문서열기
공고번호/일자 (20040124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.02.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 서울특별시강남구
2 박달근 대한민국 서울특별시강남구
3 조병원 대한민국 서울특별시은평구
4 우주만 대한민국 서울특별시노원구
5 전법주 대한민국 서울특별시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2001-0027651-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.02.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0008194-74
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0181069-26
6 의견서
Written Opinion		 2003.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0262616-88
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0262615-32
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0507691-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

도전성 고분자 수지 제조 방법에 있어서,

ECR에 의해 불활성기체를 고밀도 플라즈마 이온으로 형성시키는 단계;

상기 플라즈마 이온을 자기장을 이용하여 1차 가속하는 단계;

1차 가속된 플라즈마 이온을 직류고전압 또는 펄스전압을 이용하여 2차 가속하여 고분자 수지의 표면에 충돌시켜 이온 주입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 불활성기체는 아르곤 및/또는 질소가스인 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법

3 3

삭제
4 4

삭제
5 5

도전성 고분자 수지 제조 방법에 있어서,

ECR에 의해 불활성기체를 고밀도 플라즈마 이온으로 형성시키는 단계;

액체 또는 기체상태의 유기금속 전구체를 공급하여 상기 플라즈마 이온과 충돌시켜 유기 금속 이온을 형성하는 단계;

상기 유기 금속 이온을 자기장을 이용하여 1차 가속하는 단계;

1차 가속된 상기 유기 금속 이온을 직류고전압 또는 펄스전압을 이용하여 2차 가속하여 상기 고분자 수지의 표면에 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법

6 6

제 5항에 있어서, 상기 유기금속 전구체는 Li(acetate), (CH3)3Al, (C2H5)3Al, (C4H9)3Al, (CH3)3Bi, (C2H5)3Sb, (C3H7)3Sb, Ag(trifluoroacetate), Ag(acetate), (C2H5O)4Si, (C2H5)3SiH, (CH3)4Sn, (C2H5)4Sn, Cu(hfac)2, Cu(acac), Cu(DPM), (hfac)Cu(I)MP, (Hfac)Cu(I)(DMB), (COD)Pt(CH3)2, Pt(CH3)2(CH3NC)2, Pd(allyl)2, Ni(C5H5)2, Ni(CO)4, Pt(hfac)2중에서 선택된 어느 1종인 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법

7 7

제 5항에 있어서, 상기 고분자 수지는 PS, PE, PP, ABS, PET, PETG, PVC, HIPS, PBT, PPS에서 선택된 범용 고분자수지, N6, N66, PC, PPO, PSU, PES, PEEK, PEI에서 선택된 엔지니어링 고분자, 그리고 상기 엔지니어링 고분자에 유리섬유로 컴파운딩(compounding)된 고분자수지로 구성된 그룹에서 선택된 어느 1종인 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법

8 8

제 5항에 있어서, 상기 유기금속 이온의 플라즈마 증착시에 전극스퍼터링에 의한 증착을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.