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이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치 및 이를 사용한 표면 개질 방법

  • 기술번호 : KST2014062523
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이중 모드의 고전압 펄스를 사용하는 플라즈마 이온 주입 장치와 이 장치를 이용한 물체의 표면개질방법이 제공된다.
Int. CL H01J 37/00 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01J 37/32412(2013.01) H01J 37/32412(2013.01)
출원번호/일자 1019940031178 (1994.11.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0137704-0000 (1998.02.11)
공개번호/일자 10-1996-0019507 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한승희 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0140608-60
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0140609-16
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0140610-52
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0140611-08
5 등록사정서
Decision to grant		 1998.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0078516-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

접지된 진공조, 이 진공조 내에 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 형성하기 위한 수단, 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 전도성 시료대, 시료에 부(-)의 이중 모드 고전압 펄스를 가하기 위한 고전압 펄스 발생 장치, 및 상기 플라즈마 형성 수단을 사이에 두고 상기 시료대와 대향하여 위치하는 코팅원 및 이 코팅원의 전원 장치로 이루어진 것이 특징인 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 플라즈마 형성 수단이 안테나인 것인 장치

3 3

접지된 진공조, 이 진공조 내에 도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 형성하기 위한 수단, 진공조 내에 시료를 지지하기 위한 전도성 시료대, 시료에 이중 모드의 고전압 펄스를 가하기 위한 고전압 펄스 발생 장치, 및 상기 플라즈마 형성 수단을 사이에 두고 상기 시료대와 대향하여 위치하는 코팅원 및 이 코팅원의 전원 장치로 이루어진 이중 모드 플라즈마 이온 주입 장치의 시료대에 시료를 위치시키는 단계,

진공조 내에 주입 이온원을 도입하는 단계,

도입된 주입 이온원으로부터 이온 플라즈마를 발생시키는 단계,

플라즈마 발생과는 별도로, 발생된 플라즈마 이온이 시료에 충돌하여 시료 표면에 이온을 주입시키기에 충분한 이온 에너지를 가지고 시료를 향해 가속되도록 시료에 부(-)의 이중 모드 고전압 펄스를 가하는 단계, 및

시료에 가해지는 고전압 펄스를 오프시켜 시료에 가해지는 전압을 단순 직류 전압으로 전환시키고 코팅원에 전원을 연결하여 이온 주입된 시료 표면에 코팅층을 형성하는 단계로 이루어진 것이 특징인 물체의 표면 개질 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 이중 모드의 고전압 펄스가 펄스 전압 -10kV∼-150kV, 펄스-오프시 전압 -50V∼-10kV, 펄스폭 5μsec∼50μsec 및 펄스 주파수 10Hz∼1kHz를 갖는 것인 표면 개질 방법

5 5

제3항에 있어서, 상기 코팅원이 전자빔원, 스퍼터원 또는 ECR 이온원인 표면 개질 방법

6 6

제3항에 있어서, 질소 주입 이온원으로부터 질소 가스를, 탄소 주입 이온원으로서 메탄 가스가 사용되는 것인 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.