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높은 결정성을 갖는 차단층을 구비한 염료감응 태양전지의제조 방법

  • 기술번호 : KST2014062560
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 투명전도성 기판 위에 전이금속 혹은 전이금속 산화물을 증착시킨 후 열처리하여 높은 결정성을 갖는 반도체 산화물 차단층을 형성시키는 것을 특징으로 한다. 이러한 차단층을 구비한 기판을 염료감응 태양전지에 사용하였을 때 차단층을 형성시키지 않았을 경우 또는 기존의 방법으로 차단층을 형성시켰을 경우보다 에너지 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있었다.염료감응 태양전지(DSSC), 차단층(blocking layer), 열처리(annealing), 결정성(crystallinity), 이산화티탄(TiO₂)
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020060106533 (2006.10.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0822304-0000 (2008.04.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.31)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상수 대한민국 서울 서초구
2 박종혁 대한민국 서울 송파구
3 김준경 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0797621-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056690-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0624953-35
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0053950-59
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0053955-87
7 등록결정서
Decision to grant
2008.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0187104-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
투명전도성 광전극 기판 및 대전극 기판을 준비하는 단계;상기 광전극 기판 위에 차단층 원료를 증착시킨 후 열처리하여 차단층을 형성하는 단계;상기 차단층 위에 염료가 흡착된 산화물 전극을 형성하는 단계; 및상기 광전극 기판의 산화물 전극과 마주보도록 대전극 기판을 배치시키고, 상기 산화물 전극과 대전극 기판 사이에 전해질을 주입한 후 밀봉하는 단계;를 포함하며,상기 차단층과 상기 광전극 기판과의 결합력이 상기 차단층과 상기 산화물 전극과의 결합력보다 강한 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 열처리는 400∼600℃의 온도 범위 내에서 1∼300분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 증착과 열처리 사이에 100∼200℃의 온도 범위 내에서 등온으로 10∼120분 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 차단층 원료는 전이금속 또는 전이금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 전이금속은 티탄(Ti), 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 티타늄(Ti) 산화물, 인듐(In) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 주석(Sn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 납(Pb) 산화물, 철티타늄(FeTi) 산화물, 망간티타늄(MnTi) 산화물 및 바륨티타늄(BaTi) 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 차단층 원료가 전이금속인 경우, 상기 열처리는 산소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 차단층 원료의 증착은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(CVD), 증기증착(evaporation), 전기화학적증착(electrochemical deposition) 및 스핀코팅(spin-coating) 중 어느 한 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 차단층을 구성하는 입자의 평균 크기는 0
10 10
제 1 항에 있어서,상기 차단층의 두께는 1∼500㎚의 범위 내로 조절하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서,상기 차단층의 전도띠 에너지 준위는 상기 산화물 전극보다 낮거나 같고, 상기 광전극 기판보다 높거나 같은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 차단층이 아나타제(anatase) 또는 루타일(rutile) 형태의 결정성을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.