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투명전도성 광전극 기판 및 대전극 기판을 준비하는 단계;상기 광전극 기판 위에 차단층 원료를 증착시킨 후 열처리하여 차단층을 형성하는 단계;상기 차단층 위에 염료가 흡착된 산화물 전극을 형성하는 단계; 및상기 광전극 기판의 산화물 전극과 마주보도록 대전극 기판을 배치시키고, 상기 산화물 전극과 대전극 기판 사이에 전해질을 주입한 후 밀봉하는 단계;를 포함하며,상기 차단층과 상기 광전극 기판과의 결합력이 상기 차단층과 상기 산화물 전극과의 결합력보다 강한 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 400∼600℃의 온도 범위 내에서 1∼300분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 증착과 열처리 사이에 100∼200℃의 온도 범위 내에서 등온으로 10∼120분 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 차단층 원료는 전이금속 또는 전이금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 전이금속은 티탄(Ti), 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 텅스텐(W) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 티타늄(Ti) 산화물, 인듐(In) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 주석(Sn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 납(Pb) 산화물, 철티타늄(FeTi) 산화물, 망간티타늄(MnTi) 산화물 및 바륨티타늄(BaTi) 산화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 차단층 원료가 전이금속인 경우, 상기 열처리는 산소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 차단층 원료의 증착은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(CVD), 증기증착(evaporation), 전기화학적증착(electrochemical deposition) 및 스핀코팅(spin-coating) 중 어느 한 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 차단층을 구성하는 입자의 평균 크기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 차단층의 두께는 1∼500㎚의 범위 내로 조절하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 차단층의 전도띠 에너지 준위는 상기 산화물 전극보다 낮거나 같고, 상기 광전극 기판보다 높거나 같은 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 차단층이 아나타제(anatase) 또는 루타일(rutile) 형태의 결정성을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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