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ＺｎＳ 나노벨트 상온 자성반도체 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062593
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 ZnS 나노벨트 상온 자성반도체 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명은, Zn와 S로 이루어진 2족-6족 화합물 반도체로서, 상기 화합물 반도체 내에는 상기 Zn을 치환하는 물질로서 Mn과 Fe가 도핑되어 있으며, 상기 화합물 반도체는 전체적으로 단일상인 것을 특징으로 하는 자성 반도체와;반응로의 내부에, Au colloid 코팅된 기판과 ZnO, FeS 및 MnCl2로 이루어진 혼합분말을 각각 적치하는 공정; 상기 혼합분말을 가열함으로써 그 혼합분말을 증발시키는 공정; 및 상기 반응로내 Ar가스를 공급하면서 상기 기체화된 혼합분말을 이동시킴으로써, 상기 기판상에 Mn과 Fe 도핑된 ZnS 나노벨트를 성장시키는 공정;을 포함하는 자성반도체 제조방법에 관한 것이다.자성반도체, 나노벨트, 화합물반도체, ZnS
Int. CL H01L 43/10 (2011.01) B82Y 25/00 (2011.01)
CPC H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01)
출원번호/일자 1020050062311 (2005.07.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0666729-0000 (2007.01.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울 마포구
2 김봉수 대한민국 대전 유성구
3 정원용 대한민국 서울 서대문구
4 이관희 대한민국 경기 고양시 덕양구
5 심우영 대한민국 서울 노원구
6 강태준 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0374159-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0051511-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0484825-14
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0765053-06
6 의견서
Written Opinion		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0765052-50
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0752468-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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반응로의 내부에, Au colloid 코팅된 기판과 ZnO, FeS 및 MnCl2로 이루어진 혼합분말을 적치하는 공정; 상기 적치된 혼합분말을 가열함으로써 그 혼합분말을 증발시키는 공정; 및 상기 반응로내 Ar가스를 공급하면서 상기 기체화된 혼합분말을 이동시킴으로써, 상기 기판상에 Mn과 Fe 도핑된 ZnS 나노벨트를 성장시키는 공정;을 포함하는 자성반도체 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 혼합분말을 이루는 ZnO, FeS 및 MnCl2는 각각 99
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제 4항에 있어서, 상기 혼합분말의 가열온도가 900-1000℃인 것을 특징으로 하는 자성반도체 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 반응로내 공급되는 Ar 가스의 유입속도가 450-550 sccm인 것을 특징으로 하는 자성반도체 제조방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 도핑되는 Mn과 Fe 농도가 각각 0
9 9
제 4항에 있어서, 상기 ZnS 나노벨트를 20분이하의 시간동안 성장시킴을 특징으로 하는 자성반도체 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.