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디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경

  • 기술번호 : KST2014062603
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경을 제공한다. 본 발명의 분산 브랙 반사경은 기판 및 상기 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 상기 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 상기 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다. 디지털 합금, 다원 화합물 반도체, 분산 브랙 반사경, 파장, 반사율, 굴절률
Int. CL H01S 5/125 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050003089 (2005.01.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0673499-0000 (2007.01.17)
공개번호/일자 10-2006-0082553 (2006.07.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송진동 대한민국 서울 성북구
2 최원준 대한민국 서울 강북구
3 이정일 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0018409-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0002713-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0250890-06
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0453465-18
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0544982-13
7 의견서
Written Opinion		 2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0545001-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0777507-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
기판 및 상기 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하는 분산 브랙 반사경으로서, 상기 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 상기 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어지고, AlAs/GaAs, InGaAlAs/InGaAlAs, InGaAsP/InGaAsP, InGaP/InAlP, Si/(Si)Ge 및 SiOX/TiOX로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 분산 브랙 반사경
2 2
제1항에 있어서, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층을 이루는 각 층의 두께가 디지털 합금 다원 화합물 반도체층 내부의 빛의 파장보다 작은 것인 분산 브랙 반사경
3 3
제1항에 있어서, 상기 단위 DBR층을 구성하는 다원 반도체층이 그 아래에 존재하는 디지털 합금 다원 화합물 반도체층과 조성이 상이한 별개의 디지털 합금 다원 화합물 반도체층인 분산 브랙 반사경
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 AlGaAs 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 AlAs층과 그 위의 GaAs층으로 이루어진 것인 분산 브랙 반사경
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 9
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1 US2006165148 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2010068843 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8780951 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2006075839 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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