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광소자로서,적어도 일부가 곡선영역을 가지는 광도파로; 및 상기 광도파로와 인접하여 위치하고 상기 광도파로 내의 광손실을 방지하도록 동작하는 적어도 하나의 광손실 감소 영역을 포함하는 광소자
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제1항에 있어서,상기 광도파로는 직선영역, 곡선영역 및 사선영역을 구비하는 J형상을 가지는 광소자
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제1항에 있어서,상기 광도파로는, 적어도 하나의 파장을 가지는 광을 출력하는 활성층; 및상기 활성층에 인접하고, 상기 활성층으로부터 방출되는 광을 구속하는 제1 굴절률을 갖는 클래딩층을 포함하는 광소자
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제3항에 있어서,상기 광손실 감소영역은, 상기 제1 굴절률 보다 작은 제2 굴절률을 가지는 광소자
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제4항에 있어서,상기 광손실 감소영역은 트렌치로 구현되는 광소자
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제3항에 있어서, 상기 활성층에 전류를 공급하는 전극을 더 포함하는 광소자
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제3항에 있어서, 상기 활성층은 양자우물 구조 또는 양자점 구조를 갖는 광소자
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 광소자는 SLD(superluminescent diodes)인 광소자
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제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 클래딩층 및 상기 활성층의 일단면 상에 형성된 반사막을 더 포함하는 광소자
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제9항에 있어서,상기 전극은,상기 반사막으로부터 연장되며 직선영역을 갖는 일단부;사선영역을 갖는 타단부; 및상기 일단부와 상기 타단부를 연결하는 곡선영역을 갖는 J 형상의 전극인 광소자
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제10항에 있어서,상기 광소자는 ROSA(Reflective Semiconductor Optical Amplifier)인 광소자
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적어도 일부가 곡선영역을 가지는 광도파로를 형성하는 단계; 및 상기 광도파로와 인접하여 위치하고 상기 광도파로 내의 광손실을 방지하도록 동작하는 적어도 하나의 광손실 감소 영역을 형성하는 단계를 포함하는 광소자 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 광도파로는, 적어도 하나의 파장을 가지는 광을 출력하는 활성층; 및상기 활성층에 인접하고, 상기 활성층으로부터 방출되는 광을 구속하는 제1 굴절률을 갖는 클래딩층을 포함하는 광소자 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 광손실 감소영역은, 상기 제1 굴절률 보다 작은 제2 굴절률을 가지는 광소자 제조 방법
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제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광손실 감소 영역을 형성하는 단계는, 상기 클래딩층을 에칭하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 광소자 제조 방법
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