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양자점 형성 방법에 있어서,실리콘 기판에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 실리콘막을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘막에 포함된 상기 나노 크리스탈 표면에 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는,상기 실리콘 기판에 질소 중성입자빔을 조사하여 절연막을 형성시키는 단계;를 더 포함하는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘막을 형성하는 단계는,중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스를 주입하는 단계; 및상기 실레인 가스의 주입에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘막이 형성되는 단계;를 더 포함하는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 실리콘막을 형성하는 단계는,중성입자빔 처리장치에 실레인(SiH4) 가스 및 비활성 가스가 혼합된 처리 가스를 주입하는 단계; 및상기 실레인 가스 및 비활성 가스가 혼합되어 주입됨에 따라 형성된 중성입자에 의하여 상기 실리콘막이 형성되는 단계;를 포함하는 양자점 형성 방법
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 중성입자빔 처리장치 내의 처리 가스에 의해 형성된 중성입자가 가진 에너지의 양에 따라 상기 중성입자가 상기 아몰퍼스 실리콘 또는 상기 나노 크리스탈로 형성되는 양자점 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 크리스탈 표면에 절연막을 형성하는 단계는,중성입자빔 처리장치 내의 처리 가스에 수소 또는 질소 가스를 혼합하고, 상기 실리콘 기판 상에 수소 또는 질소 플라즈마 분위기에서 생성된 중성입자빔을 조사하여 상기 나노 크리스탈 표면에 절연막을 코팅하는 단계;를 더 포함하는 양자점 형성 방법
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양자점 형성 방법에 있어서,실리콘 기판에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 제1 실리콘막을 형성하는 단계;상기 제1 실리콘막에 포함된 상기 나노 크리스탈 표면에 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 실리콘막 상부에 아몰퍼스 실리콘 및 나노 크리스탈이 혼합된 제2 실리콘막을 형성하는 단계; 및상기 제2 실리콘막에 포함된 상기 나노 크리스탈의 표면에 절연막을 형성하는 단계;를 포함하는 양자점 형성 방법
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제7항에 있어서,상기 제2 실리콘막을 형성하는 단계와 상기 제2 실리콘막의 나노 크리스탈에 절연막을 형성하는 단계는,상기 청구항 제2항 내지 제4항, 및 제6항 중 어느 한 항에 기재된 공정이 반복적으로 수행되도록 한 양자점 형성 방법
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