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고밀도 PZT-PMnN 압전 후막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014063241
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도 PZT-PMnN 압전 후막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판의 표면 일측에 페로브스카이트상을 갖는 Pb(Zr,Ti)O3와 Pb(Mn1/3Nb2/3)O3의 고용체로 이루어진 압전소재를 상온 진공 분말 분사법(Room Temperature Powder Spray in Vacuum)으로 진공 증착한 압전 후막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 상온 진공 분말 분사법을 사용하여 페로브스카이트 상을 갖고, 고밀도로 치밀하게 성막되고, 균열 또는 기공형성이 나타나지 않고, 5 ㎛ 이상의 두께로 기판과의 박리 없이 건전하게 기판에 부착되고, 종래 사용되는 벌크형의 압전 센서와 동등한 압전 특성을 나타내는 PZT-PMnN 압전 후막을 제조할 수 있어, 경박단소화의 추세에 있는 전자제품 내의 박막/후막형 압전 센서에 응용될 수 있다. 압전 후막, PZT-PMnN, 상온 진공 분말 분사법, AD
Int. CL C23C 24/00 (2006.01)
CPC C23C 24/00(2013.01) C23C 24/00(2013.01) C23C 24/00(2013.01)
출원번호/일자 1020090075132 (2009.08.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1091149-0000 (2011.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0017592 (2011.02.22) 문서열기
공고번호/일자 (20111209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류정호 대한민국 경상남도 창원시 가음정
2 박동수 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0497302-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0002399-63
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0304540-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0493573-30
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0493575-21
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702531-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
기판의 표면 일측에 페로브스카이트상을 갖는 Pb(Zr,Ti)O3와 Pb(Mn1/3Nb2/3)O3의 고용체로 이루어진 압전소재를 상온 진공 분말 분사법(Room Temperature Powder Spray in Vacuum)으로 진공 증착한 압전 후막
2 2
제1항에 있어서, 상기 압전 후막은 5 ㎛ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 압전 후막
3 3
제1항에 있어서, 상기 압전 후막은 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 압전 후막의 결정 구조는 능면정계(rhombohedral) 구조와 정사면체(tetragonal) 구조의 조성 변태 상경계(morphotropic phase boundary, MPB)에 있는 것을 특징으로 하는 압전 후막
5 5
제1항에 있어서, 상기 압전 후막의 유전상수(εr)는 700 이하인 것을 특징으로 하는 압전 후막
6 6
제1항에 있어서, 상기 압전소재의 Zr과 Ti의 비는 45:55 ∼ 60:40이고, 압전 전하 계수(d33)는 55 pC/N 이상인 것을 특징으로 하는 압전 후막
7 7
제1항에 있어서, 상기 압전소재는 Zr 및 Ti의 조성을 다양하게 변화시켜 미세한 함량조절이 가능한 것을 특징으로 하는 압전 후막
8 8
제1항에 있어서, 상기 압전소재는 Zr 및 Ti의 비가 57:43인 것을 특징으로 하는 압전 후막
9 9
압전소재를 혼합용기에 장입하고, 기판을 스테이지에 고정하는 재료준비단계(S100); 상기 혼합용기 내부에 캐리어가스를 공급하여 압전소재와 캐리어가스를 혼합하는 가스공급단계(S200); 상기 혼합용기 내부에서 혼합된 캐리어가스 및 압전소재를 이송시켜 상기 기판에 분사하는 입자분사단계(S300); 상기 스테이지를 이송하여 기판에 압전 후막을 형성하는 압전 후막 형성단계(S400); 및 상기 형성된 압전 후막을 열처리하여 입자크기를 성장시키는 열처리단계(S500)를 포함하는 진공 분말 분사법을 이용한 압전 후막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 압전소재는 Pb(Zr,Ti)O3와 Pb(Mn1/3Nb2/3)O3의 고용체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 압전소재는 0
12 12
제10항에 있어서, 상기 압전소재는 Zr 및 Ti의 조성을 다양하게 변화시켜 미세한 함량조절이 가능한 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 압전소재는 Zr 및 Ti의 비가 57:43인 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 압전 후막 형성단계의 압전 후막의 성막속도는 0
15 15
제1항의 압전 후막을 이용한 압전 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 소재원천기술개발사업 상온 분사 공정에 의한 다층박막 소재 및 in-situ 성막기술