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기판과 격자불일치를 갖는 화합물 반도체의 에피탁시 성장방법

  • 기술번호 : KST2014063674
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판과 격자불일치를 갖는 화합물 반도체의 에피텍시 성장 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 기판보다 격자 상수가 큰 소재로 양자점을 형성하는 단계와, 양자점 위에 양자점과 동일 소재 또는 양자점과 격자상수가 동일한 소재로 씨앗층을 증착하여 형성하는 단계와, 씨앗층과 동일 소재로 상기 씨앗층 위에 버퍼층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 기판과 격자불일치를 갖는 화합물 반도체의 에피텍시 성장 방법에 의하면, 기판과 성장대상 물질과의 격자 불일치에 의한 성장 제약 및 적용가능한 물질에 대한 제약을 완하시켜 양질의 반도체층을 형성할 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01)
출원번호/일자 1020140067856 (2014.06.03)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1546518-0000 (2015.08.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 대한민국 광주광역시 광산구
2 서영성 대한민국 광주광역시 광산구
3 모윤진 대한민국 광주광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0527562-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0008999-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0384415-07
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0745703-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0745704-63
7 등록결정서
Decision to grant
2015.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0544210-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
삭제
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삭제
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6 6
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가 단계는가-1
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제6항에 있어서,상기 나 단계는 상기 성장 온도보다 낮은 400 내지 650℃에서 상기 씨앗층을 형성하고,상기 다 단계는 상기 50℃ 내지 800℃에서 상기 버퍼층을 형성하고,상기 가 단계 내지 다 단계는 유기물 금속화학증착(metalorganic chemical vapor deposition; MOCVD) 장비와 분자빔 에피텍시(molecular beam epitaxy; MBE) 장비, 원자층 에피텍시 장비(Atomic layer epitaxy) 중 어느 하나로 수행하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 에피텍시 성장방법
8 8
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10 10
11 11
제10항에 있어서, 상기 씨앗층 또는 상기 제1 및 제2 버퍼층에 전자빔을 조사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체의 에피텍시 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.