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하기 화학식 1로 표시되는 감광성 합성물
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제 1 항에 있어서,상기 감광성 합성물은, 365nm 파장의 자외선을 조사하여 불용성 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 감광성 합성물
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제 2 항에 있어서,상기 감광성 합성물은, 불용성 상태에서 254nm 파장의 자외선을 조사하여 가용성 상태로 전환되는 것을 특징으로 하는 감광성 합성물
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 유기발광층을 도포하는 단계;상기 유기발광층 위에 상기 제 1 항의 합성물을 포함하는 포토레지스트를 도포하는 단계;마스크 패턴을 통해 제1 자외선을 조사하여 상기 포토레지스트를 패턴하는 단계;상기 패턴된 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 유기발광층을 패턴하는 단계;상기 포토레지스트에 제2 자외선을 조사하여 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 제1 자외선은, 365nm 파장이고,상기 제2 자외선은, 254nm 파장인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 포토레지스트를 패턴하는 단계 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서 hydrofluoroether류를 포함하는 용제를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 패턴된 유기발광층 위에 제2 전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 상기 제 1 항의 합성물을 포함하는 포토레지스트를 도포하는 단계;마스크 패턴을 통해 제1 자외선을 조사하여 상기 포토레지스트를 패턴하는 단계;상기 패턴된 포토레지스트를 포함하는 상기 기판 표면 전체에 유기발광층을 도포하는 단계;상기 유기발광층이 도포된 상태에서 제2 자외선을 조사하여 상기 포토레지스 및 상기 포토레지스트 위에 접촉하는 상기 유기발광층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 제1 자외선은, 365nm 파장이고,상기 제2 자외선은, 254nm 파장인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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10
제 8 항에 있어서,상기 포토레지스트를 패턴하는 단계 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계에서 hydrofluoroether류를 포함하는 용제를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 패턴된 유기발광층 위에 제2 전극을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법
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