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기판상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각되어 형성된 상광하협(上廣下狹) 형상의 적어도 하나의 노출홈;이 구비되며, 상기 활성층에서 상기 노출홈의 측면부로 반사되는 빛이 하방으로 반사되도록 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈의 측면부에는 반사층;이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈의 측면부에는 유전체층;이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 노출홈의 측면부에는 유전체층 및 반사층이 순차적으로 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 반사층은 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층으로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제5항에 있어서, 상기 금속반사층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 하나나 이들 금속의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 유전체층은 MgF2, CaF2, SiO2, SiOx, SiN, SiNx, Si3N4, Al2O3, GaO, TiO2, HfO2, CuO, MgO, SiOF 중 적어도 어느 하나로 이뤄진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층을 커버하는 유전체층;이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 p형 반도체층을 커버하는 반사층;이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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(a) 기판상에 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계; 및 (b) 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각되어 형성된 상광하협(上廣下狹) 형상의 노출홈을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b1-1) 상기 p형 반도체층 상에 유기물의 열적 재흐름 현상(thermal reflow) 또는 유기물의 화학적 재흐름 현상(chemical reflow) 또는 이 둘 현상이 혼합된 현상(chemical-thermal reflow)을 통해 상협하광의 유기물 구조물을 형성하는 단계; 및 (b1-2) 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 식각처리하여 상기 노출홈을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b2-1) 상기 p형 반도체층 상에 포토레지스트를 형성하는 단계; 및 (b2-2) 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 식각처리하여 상기 노출홈을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b3-1) 상기 p형 반도체층 상에 마이크론 크기의 구형 물질들을 마련하는 단계; 및 (b3-2) 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 식각처리하여 상기 노출홈을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b4-1) 소정 형상의 홈이 형성된 제n의 광마스크를 이용하여 상기 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 중 적어도 어느 하나의 층을 노광 처리하고 에칭하여 n층 단계홈을 형성하는 단계; 및 (b4-2) 상기 제n의 광마스크의 홈보다 작은 크기의 홈이 형성된 제n+1의 광마스크를 이용하여 상기 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 중 적어도 어느 하나의 층을 노광 처리하고 에칭하여 상기 n층 단계홈 상에 n+1층 단계홈을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는, (b5-1) 상기 p형 반도체층 상에 다단 적층 구조의 피라미드형 포토레지스트 구조물을 형성하는 단계; 및 (b5-2) 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 식각처리하여 상기 노출홈을 형성하는 단계;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계 이후에, (c1) 상기 노출홈의 측면부 또는 상기 p형 반도체층에 유전체층을 형성하는 단계;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계 이후에, (c2) 상기 노출홈의 측면부 또는 상기 p형 반도체층에 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계 이후에, (c1) 상기 노출홈의 측면부 또는 상기 p형 반도체층에 유전체층을 형성하는 단계; 및 (c2) 상기 유전체층에 반사층을 형성하는 단계;를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제16항 또는 제18항에 있어서, 상기 유전체층은 MgF2, CaF2, SiO2, SiOx, SiN, SiNx, Si3N4, Al2O3, GaO, TiO2, HfO2, CuO, MgO, SiOF 중 적어도 어느 하나로 이뤄진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 반사층은 금속반사층, 전방향 반사기층, 분포 브래그 반사계층 중 적어도 어느 하나의 층으로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 금속반사층은 Au, Ag, Al, Ni, Cu, Rh, Pd, Zn, Ru, La, Ti, Pt 중 하나나 이들 금속의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
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