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기판;상기 기판 상에 형성된 질화물층;상기 질화물층 상에 형성되며 복수의 개구부가 형성된 마스킹층; 및상기 개구부상으로 노출된 질화물층을 통해 성장되어 상기 마스킹층 상으로 돌출 형성된 질화물 구조체;를 포함하는 나노임프린트용 몰드
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제1항에 있어서,상기 기판은 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond), 실리콘(silicone) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하여 이루어진 나노임프린트용 몰드
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제1항에 있어서,상기 질화물층은 질화물을 포함하는 반도체로 이루어진 나노임프린트용 몰드
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제1항에 있어서,상기 마스킹층은 유전체 물질로 이루어진 나노임프린트용 몰드
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제4항에 있어서,상기 유전체 물질은 TiOx, TiNx, SiNx, SiOx 및 이들의 조합으로 이루어진 나노임프린트용 몰드(여기서, 1≤x≤2)
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제1항에 있어서,상기 개구부는 원형, 환형, 스트립, 다각형의 형상 중 어느 한 종류 이상의 형상을 갖는 나노임프린트용 몰드
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제1항에 있어서,상기 복수의 개구부로부터 돌출 형성된 질화물 구조체는 규칙적으로 배열된 형상을 갖는 나노임프린트용 몰드
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제1항에 있어서,상기 질화물 구조체는 질화물층과 동종(同種) 또는 이종(異種)으로 형성되는 나노 임프린트용 몰드
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기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 질화물층을 형성하는 단계;상기 질화물층 상에 마스킹층을 형성하는 단계;상기 마스킹층 상에 하부에 위치한 질화물층이 부분적으로 노출되도록 복수의 개구부를 형성하는 단계; 및상기 노출된 질화물층을 성장시켜 상기 마스킹층 상부로 돌출 형성된 질화물 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 나노임프린트용 몰드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 개구부는 마스킹층 상에 포토레지스트를 도포하고 노출하는 단계;상기 노출된 포토레지스트층을 현상하는 단계;상기 포토레지스트가 현상된 층을 포함하는 마스킹층을 에칭하는 단계; 및상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;를 포함하는 방법으로 수행되는 나노임프린트용 몰드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 기판은 석영(quartz), 유리(glass), 사파이어(sapphire), 다이아몬드(diamond), 실리콘(silicone) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하여 이루어진 나노임프린트용 몰드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 질화물층은 질화물을 포함하는 반도체로 이루어진 나노임프린트용 몰드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 마스킹층은 TiOx, TiNx, SiNx, SiOx 및 이들의 조합으로 이루어진 나노임프린트용 몰드의 제조방법(여기서, 1≤x≤2)
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제9항에 있어서,상기 질화물 구조체는 KrF 스캐너로 형성되는 마스킹층 개구부의 형상, 간격을 통해 그 모양이 조절되는 나노임프린트용 몰드의 제조방법
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제9에 있어서,상기 질화물 구조체의 돌출 형상의 제어는 질화물의 화학 기상 증착의 증착 조건에 의해 조절되는 나노임프린트용 몰드의 제조방법
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