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저항 변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014063982
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항 변화 메모리 소자가 개시된다. 이는 금속층과 저항 변화층 사이에 버퍼층을 삽입하여 저항 변화층에서 전도성 필라멘트를 금속의 형태로 형성하기 때문에 저항비, 산포, 동작 안정성 및 정보 저장능력이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020140024224 (2014.02.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1520221-0000 (2015.05.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150513) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.02.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 베노쉬 아타리 마샬코우베 이란 경북 포항시 남구
3 이상헌 대한민국 경상북도 경산시 경산로**길 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0201847-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0011995-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0118832-16
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0370874-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0370875-66
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0288996-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 전극과 하부 전극 사이에 저항 변화층이 구비되고, 상기 상부 및 하부 전극에 극성이 서로 다른 전위를 인가함으로써, 가역적으로 상기 저항 변화층의 저항값이 변화하는 저항 변화 메모리 소자로서:상기 저항 변화층과 상기 상부 전극 사이에 배치되고, 상기 저항 변화층에 금속 이온을 공급하기 위한 금속층; 및상기 저항 변화층과 상기 금속층 사이에 배치되며, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 셋 전압을 인가하여 상기 저항 변화 메모리 소자의 셋 동작 시에 상기 저항 변화층 내의 잔존하는 상기 금속 이온을 환원시켜 전도성 필라멘트(filament)를 형성하도록 하는 버퍼층;을 포함하는저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은,초기 포밍(forming) 동작 시에 상기 금속층으로부터 상기 저항 변화층으로 이동하는 금속 이온의 일부분을 제한하는 것인,저항 변화 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 리셋 전압을 인가하여 상기 저항 변화 메모리 소자의 리셋 동작 시에 상기 저항 변화층으로부터 상기 금속층으로 이동하는 상기 금속 이온의 일부분을 제한하는 것인,저항 변화 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 버퍼층은,상기 금속층보다 산화환원 전위가 낮은 물질로 선택되는 것인 저항 변화 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 버퍼층은,금속, 금속 산화물 또는 합금인 것인 저항 변화 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 버퍼층의 두께에 따라, 상기 소자의 산포도가 정해지는 것인 저항 변화 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 100 NSEC의 PROGRAM/ERASE SPEED를 갖는 100 NM 이하의 초저전력 RECONFIGURABLE 반도체 소자 (ATOMIC SWITCH, NEMS 소자) 및 소재 원천 기술개발