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금속 기판 상에 폴리머 필름을 형성하고 가열하는 단계;패턴이 형성된 임프린트 몰드로 상기 폴리머 필름을 가압하여 상기 패턴이 상기 폴리머 필름에 전사되도록 단계;상기 임프린트 몰드를 제거하는 단계; 및 상기 금속 기판과 폴리머 필름을 냉각하는 단계;를 포함하고,상기 금속 기판의 열팽창 계수 또는 가열 온도를 조절하여 형성되는 패턴의 치수를 조절하는 나노 임프린트 몰드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 기판은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 금(Au), 철(Fe) 및 이들의 합금과 인바 합금(Invar alloy) 중에서 선택된 하나로 이루어지는 나노 임프린트 몰드의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 금속 기판 중 적어도 필름이 형성되는 면은, 상기 금속 기판과 동종 또는 이종의 금속으로 도금하여 평탄화층이 형성된 나노 임프린트 몰드의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 평탄화층은은 전해도금으로 이루어지는 나노 임프린트 몰드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머 필름은, 방향족 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리벤즈이미다졸 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 나노 임프린트 몰드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 패턴은 기둥이 복수개 배열된 형태인 나노 임프린트 몰드의 제조방법
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임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;상기 임시기판을 제거하여 상기 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;제1항에 기재된 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 패턴을 전사하는 단계;상기 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계; 및상기 패턴이 형성된 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 발광다이오드 제조방법
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제7항에 있어서,상기 n형 전극은 상기 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 도전성 물질을 증착하여 형성되는, 발광다이오드 제조방법
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입사되는 광을 산란시켜 반사시키기 위한 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층, 상기 발광층 및 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;제1항에 기재된 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계;상기 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계; 및상기 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 p형 전극을 형성하고 상기 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 투명전극인 ITO를 포함하는, 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 p형 전극은 상기 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 투명전극이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 도전성 물질을 증착하여 형성되는, 발광다이오드 제조방법
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제7항에 기재된 방법에 의해 제조된 발광다이오드로,도전성 기판,상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 전극,상기 p형 전극 상에 형성된 p형 질화물 반도체층,상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 발광층,상기 발광층 상에 형성된 n형 질화물 반도체층,상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층 및상기 나노 임프린트 레지스트층이 제거된 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 구비한 발광다이오드
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제9항에 기재된 방법에 의해 제조된 발광다이오드로,입사되는 광을 산란시켜 반사시키기 위한 패턴이 형성되어 있는 기판,상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층, 상기 n형 질화물 반도체층에 형성된 발광층,상기 발광층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층,상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극,상기 투명전극 상에 형성된 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층,상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 발광층을 일부 식각하여 노출된 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 n형 전극, 및상기 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 노출된 상기 투명전극 상에 형성된 p형 전극을 구비한, 발광다이오드
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