요약 | 본 발명은 디지털 메모리 특성을 가지는 폴리에테르 고분자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 브러쉬 말단에 디지털 메모리 특성을 가지는 화합물이 형성되는 폴리에테르 브러쉬 고분자 물질과 그 합성, 및 발명된 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 고분자를 활성층으로 이용하여 제조되는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. |
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Int. CL | C08G 65/00 (2006.01) C08L 71/00 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) C08G 65/48 (2006.01) |
CPC | C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020140009041 (2014.01.24) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2015-0088951 (2015.08.04) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | 1020160095439; |
심사청구여부/일자 | Y (2014.01.24) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이문호 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
2 | 정성민 | 대한민국 | 경남 창원시 의창구 |
3 | 위동우 | 대한민국 | 경상북도 김천시 |
4 | 김영용 | 대한민국 | 서울 노원구 |
5 | 권경호 | 대한민국 | 대구 동구 |
6 | 송성진 | 대한민국 | 대전 서구 |
7 | 이진석 | 대한민국 | 경기 부천시 소사구 |
8 | 고용기 | 대한민국 | 경기 부천시 원미구 |
9 | 김종현 | 대한민국 | 대구 북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박상훈 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0077917-11 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.02.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0018492-74 |
3 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0115991-50 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.02.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2015.04.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0023212-20 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.05.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0308165-16 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.05.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0512957-09 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0512924-03 |
10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2015.11.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0773836-28 |
11 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2015.12.08 | 수리 (Accepted) | 7-1-2015-0056147-54 |
12 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2015.12.30 | 취하 (Withdrawal) | 1-1-2015-1286343-18 |
13 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2015.12.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2015-1286339-35 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1286336-09 |
15 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0080521-21 |
16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0164620-44 |
17 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.02.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0164627-63 |
18 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2016.06.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0400013-67 |
19 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2016.07.01 | 수리 (Accepted) | 7-1-2016-0040787-70 |
20 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2016.07.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0730496-44 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 적어도 일부의 브러쉬 말단에 하기 화학식(1)에서서 선택되는 하나 이상의 관능기가 형성되는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기는 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 브러쉬 고분자는 폴리에테르 블록 공중합체인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
4 |
4 제1항에 있어서, 폴리에테르 브러쉬 고분자는 브러쉬 말단의 1-99 %에 상기 화학식(1) 또는 화학식(2)의 관능기가 형성되며, 적어도 일부의 다른 브러쉬 말단에는 하기 화학식(3)으로 이루어진 관능기가 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
5 |
5 하기 화학식(4)로 표현되는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기가 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
7 |
7 제5항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 하기 화학식 5로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 |
8 |
8 하기 화학식 (6)에 의해서 표현되는 폴리에테르 블록 공중합체와,여기서, ρ, σ, R1, R2, R3, R4, Y1, Y2, m 및 n은 화학식 (1)에서 정의한 바와 같으며;상기 폴리에테르 블록 공중합체에서 측쇄에 부착된 관능기 B를 하기 화학식(7)로 표현되는 화합물과 반응시키는 단계, X-B'(7)여기서, X-는 상기 화학식(1)에 정의한 바와 같으며, 상기 B와 B' 에스테르 반응에 의해서 상기 청구항 3의 링커 Z2를 이루는 잔기들이며;상기 폴리에테르 블록 공중합체에서 측쇄에 부착된 관능기 A를 하기 화학식(8)으로표현되는 화합물과 반응시키는 단계, HO-A' (8)여기서, 상기 A와 A'는 이중결합의 첨가 반응에 의해서 상기 청구항 3의 링커 Z1를 이루는 잔기들이며, 및 상기 -OH 관능기를 하기 화학식 (9)과 반응시키는 단계, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬임(9)를 포함하는 폴리에테를 브러쉬 고분자 제조 방법 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 B는 -R-OH이며, A는 -R-O-R=C이며, 여기서 R은 각각 독립적으로 탄소수 1-20 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법 |
10 |
10 제8항에 있어서, 상기 화학식(6)는 하기 화학식(12)의 화합물로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬인 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법 |
11 |
11 제8항에 있어서, 상기 화학식 (7)의 X-B'는 하기 화학식(11)으로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법 |
12 |
12 제8항에 있어서, 상기 화학식(8)의 HO-A'은 하기 화학식(10)의 화합물로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-10 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법 |
13 |
13 제8항에 있어서, 상기 청구항 8의 화학식 (6)에 의해서 표현되는 폴리에테르 블록 공중합체는 하기 화학식(13) 화합물에서, 여기서, X1과 X3, -RO-, -O-, -COO-, -NH-, -S-, -SOO-, -R-로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되는 링커로서 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬기이며, X2와 X4는 (14)에서 독립적으로 선택되는 보호기이며,일부의 보호기를 선택적으로 제거하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법 |
14 |
14 상기 청구항 1-7중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 가지는 고분자 메모리 소자 |
15 |
15 제14항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및 상기 유기전극위에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 |
16 |
16 제14항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 |
17 |
17 기판상에 형성된 하부 전극 위에 청구항 1-7항 중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 메모리 소자 제조 방법 |
18 |
18 제17항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 폴리에테르 브러쉬 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법 |
19 |
19 제18항에 있어서, 상기 나노 구조화는 활성층의 용매 어닐링을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법 |
20 |
20 제19항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | KR101738306 | KR | 대한민국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 미래창조과학부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 중견연구자지원사업 | 디지털 프로그램 비휘발성 메모리 고분자 나노소재 연구 |
등록사항 정보가 없습니다 |
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번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0077917-11 |
2 | 보정요구서 | 2014.02.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0018492-74 |
3 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0115991-50 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
5 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.02.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2015.04.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0023212-20 |
7 | 의견제출통지서 | 2015.05.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0308165-16 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.05.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0512957-09 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0512924-03 |
10 | 거절결정서 | 2015.11.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0773836-28 |
11 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2015.12.08 | 수리 (Accepted) | 7-1-2015-0056147-54 |
12 | [분할출원]특허출원서 | 2015.12.30 | 취하 (Withdrawal) | 1-1-2015-1286343-18 |
13 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2015.12.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2015-1286339-35 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1286336-09 |
15 | 의견제출통지서 | 2016.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0080521-21 |
16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.02.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0164620-44 |
17 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.02.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0164627-63 |
18 | 거절결정서 | 2016.06.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0400013-67 |
19 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.07.01 | 수리 (Accepted) | 7-1-2016-0040787-70 |
20 | [분할출원]특허출원서 | 2016.07.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0730496-44 |
21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술번호 | KST2014064002 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
기술명 | 플루오르카본이 도입된 비휘발성 메모리 특성 자기조립성 브러쉬 블록 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자 |
기술개요 |
본 발명은 디지털 메모리 특성을 가지는 폴리에테르 고분자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 브러쉬 말단에 디지털 메모리 특성을 가지는 화합물이 형성되는 폴리에테르 브러쉬 고분자 물질과 그 합성, 및 발명된 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 고분자를 활성층으로 이용하여 제조되는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제정보가 없습니다 |
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[KST2017016487][포항공과대학교 산학협력단] | 전기화학 발광물질 젤 및 그를 이용한 수기 및 인쇄형 전기화학 발광소자의 제조방법(ELECTROCHEMICAL LUMINESCENCE MATERIAL GEL AND A HANDWRITEABLE AND PRINTABLE ELECTROCHEMICAL LUMINESCENCE DEVICE USING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2017016489][포항공과대학교 산학협력단] | 도핑된 그래핀 전극 및 이의 제조 방법(Doped graphene electrode and Method of forming the same) | 새창보기 |
[KST2019000918][포항공과대학교 산학협력단] | 사이리스터 기반의 크로스 포인트 메모리 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015169195][포항공과대학교 산학협력단] | 유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 유기 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015187065][포항공과대학교 산학협력단] | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016008933][포항공과대학교 산학협력단] | 싸이오펜 중합체 조성물, 및 이를 포함하는 유기광전자소자(POLYTHIOPHENE COMPOSITION, AND ORGANIC PHOTOELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
[KST2016014897][포항공과대학교 산학협력단] | 플루오르카본이 도입된 비휘발성 메모리 특성 자기조립성 브러쉬 블록 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자(SELF-ASSEMBLED BRUSH BLOCK COPOLYMERS WITH FLUOROCARBON FOR MEMORY DEVICE, PREPARATION THEREOF AND PRODUCTS COMPRISING THE POLYMER) | 새창보기 |
[KST2019000909][포항공과대학교 산학협력단] | 비대칭 알킬기가 치환된 유기 반도체 화합물 및 이를 포함하는 태양전지 | 새창보기 |
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