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플루오르카본이 도입된 비휘발성 메모리 특성 자기조립성 브러쉬 블록 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014064002
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디지털 메모리 특성을 가지는 폴리에테르 고분자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 브러쉬 말단에 디지털 메모리 특성을 가지는 화합물이 형성되는 폴리에테르 브러쉬 고분자 물질과 그 합성, 및 발명된 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 고분자를 활성층으로 이용하여 제조되는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다.
Int. CL C08G 65/00 (2006.01) C08L 71/00 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) C08G 65/48 (2006.01)
CPC C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140009041 (2014.01.24)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0088951 (2015.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160095439;
심사청구여부/일자 Y (2014.01.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 정성민 대한민국 경남 창원시 의창구
3 위동우 대한민국 경상북도 김천시
4 김영용 대한민국 서울 노원구
5 권경호 대한민국 대구 동구
6 송성진 대한민국 대전 서구
7 이진석 대한민국 경기 부천시 소사구
8 고용기 대한민국 경기 부천시 원미구
9 김종현 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0077917-11
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0018492-74
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0115991-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0023212-20
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0308165-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0512957-09
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0512924-03
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0773836-28
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.12.08 수리 (Accepted) 7-1-2015-0056147-54
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2015.12.30 취하 (Withdrawal) 1-1-2015-1286343-18
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1286339-35
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1286336-09
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0080521-21
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0164620-44
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0164627-63
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0400013-67
19 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.07.01 수리 (Accepted) 7-1-2016-0040787-70
20 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0730496-44
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 일부의 브러쉬 말단에 하기 화학식(1)에서서 선택되는 하나 이상의 관능기가 형성되는 폴리에테르 브러쉬 고분자
2 2
제1항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기는 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
3 3
제1항에 있어서, 상기 브러쉬 고분자는 폴리에테르 블록 공중합체인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
4 4
제1항에 있어서, 폴리에테르 브러쉬 고분자는 브러쉬 말단의 1-99 %에 상기 화학식(1) 또는 화학식(2)의 관능기가 형성되며, 적어도 일부의 다른 브러쉬 말단에는 하기 화학식(3)으로 이루어진 관능기가 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
5 5
하기 화학식(4)로 표현되는 폴리에테르 브러쉬 고분자
6 6
제5항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기가 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
7 7
제5항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 하기 화학식 5로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
8 8
하기 화학식 (6)에 의해서 표현되는 폴리에테르 블록 공중합체와,여기서, ρ, σ, R1, R2, R3, R4, Y1, Y2, m 및 n은 화학식 (1)에서 정의한 바와 같으며;상기 폴리에테르 블록 공중합체에서 측쇄에 부착된 관능기 B를 하기 화학식(7)로 표현되는 화합물과 반응시키는 단계, X-B'(7)여기서, X-는 상기 화학식(1)에 정의한 바와 같으며, 상기 B와 B' 에스테르 반응에 의해서 상기 청구항 3의 링커 Z2를 이루는 잔기들이며;상기 폴리에테르 블록 공중합체에서 측쇄에 부착된 관능기 A를 하기 화학식(8)으로표현되는 화합물과 반응시키는 단계, HO-A' (8)여기서, 상기 A와 A'는 이중결합의 첨가 반응에 의해서 상기 청구항 3의 링커 Z1를 이루는 잔기들이며, 및 상기 -OH 관능기를 하기 화학식 (9)과 반응시키는 단계, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬임(9)를 포함하는 폴리에테를 브러쉬 고분자 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 B는 -R-OH이며, A는 -R-O-R=C이며, 여기서 R은 각각 독립적으로 탄소수 1-20 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 화학식(6)는 하기 화학식(12)의 화합물로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬인 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 화학식 (7)의 X-B'는 하기 화학식(11)으로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 화학식(8)의 HO-A'은 하기 화학식(10)의 화합물로 표현되며, 여기서 R은 탄소수 1-10 알킬인 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 청구항 8의 화학식 (6)에 의해서 표현되는 폴리에테르 블록 공중합체는 하기 화학식(13) 화합물에서, 여기서, X1과 X3, -RO-, -O-, -COO-, -NH-, -S-, -SOO-, -R-로 이루어지는 군으로부터 독립적으로 선택되는 링커로서 여기서 R은 탄소수 1-20의 알킬기이며, X2와 X4는 (14)에서 독립적으로 선택되는 보호기이며,일부의 보호기를 선택적으로 제거하여 제조되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자 제조 방법
14 14
상기 청구항 1-7중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 가지는 고분자 메모리 소자
15 15
제14항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및 상기 유기전극위에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
16 16
제14항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
17 17
기판상에 형성된 하부 전극 위에 청구항 1-7항 중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 폴리에테르 브러쉬 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 나노 구조화는 활성층의 용매 어닐링을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 디지털 프로그램 비휘발성 메모리 고분자 나노소재 연구