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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되는 금속산화물을 함유하는 전자주입층;상기 전자주입층 상에 질소원자를 함유하는 고분자를 포함하는 표면개질층;상기 표면개질층 상에 배치된 발광층; 및상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 고분자는 절연성 고분자인 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 고분자는 주쇄 또는 측쇄에 아민기, 아조기, 또는 암모늄기를 함유하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제3항에 있어서,상기 고분자는 폴리에틸렌이민계 고분자 또는 폴리알릴아민계 고분자인 역구조 유기 발광 다이오드
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제3항에 있어서,상기 고분자는 가지달린 폴리에틸렌이민(branched polyethyleneimine), 에톡시레이티드 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine ethoxylated), 폴리 2-에틸-옥사졸린(poly(2-ethyl-2-oxazoline), 리니어 폴리에틸렌이민(linear polyethyleneimine), 바이오리듀서블 다이설파이드 가교된 폴리에틸렌이민(bioreducible disulfide-crosslinked polyethyleneimine), 폴리에틸렌이민 맥스(polyethyleneimine max), 폴리 알릴아민(polyallylamine), 폴리알릴아민 염화수소산염(polyallylamine hydrochloride), 폴리 카르복실 하이드로싸이페틸라조 벤젠설퍼나마이도 에테인다일 소디움 염(poly(1-(4-(3- carboxy-4hydroxyphenylazo)benzenesulfonamido)-1,2-ethanediyl, sodium salt) 및 폴리 다이알릴 다이메틸 암모니움 클로라이드(poly(diallyldimethylammonium chloride)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 표면개질층의 두께는 1nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제6항에 있어서,상기 표면개질층의 두께는 4nm 내지 16nm인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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8
제7항에 있어서,상기 표면개질층의 두께는 8nm 내지 12nm인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 전자주입층은 금속산화물 박막층, 금속산화물 나노입자층 또는 금속산화물 박막 내에 금속산화물 나노입자가 포함된 층인 역구조 유기 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 금속산화물은 n형 반도체 금속산화물인 역구조 유기 발광 다이오드
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제10항에 있어서,상기 금속산화물은 TiOx(x는 1 내지 3의 실수임), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화바나듐, 산화몰리브데늄, 산화구리 (Copper(II) Oxide: CuO), 산화니켈(NiO), 산화구리알루미늄(CopperAluminiumOxide:CAO, CuAlO2), 산화아연로듐 (ZincRhodiumOxide: ZRO, ZnRh2O4), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide), 및 ZrO2 로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 역구조 유기 발광 다이오드
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12
제1항에 있어서,상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에, 금속산화물을 함유하는 정공주입층이 배치된 유기 발광 다이오드
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제1 전극;상기 제1 전극 상에 배치되는 금속산화물을 함유하는 전자주입층;상기 전자주입층 상에 상기 금속산화물의 산소와 결합하여 계면 쌍극자를 형성할 수 있는 고분자를 포함하는 표면개질층;상기 표면개질층 상에 배치된 발광층; 및상기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드
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제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속산화물을 함유하는 전자주입층을 형성하는 단계;상기 전자주입층 상에 질소원자를 함유하는 고분자를 포함하는 표면개질층을 형성하는 단계;상기 표면개질층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 표면 개질층은 상기 고분자와 극성 용매를 함유하는 혼합액을 상기 전자주입층 상에 도포하여 형성하는 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 고분자는 절연성 고분자인 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 고분자는 주쇄 또는 측쇄에 아민기 아조기, 또는 암모늄기를 함유하는 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제17항에 있어서,상기 고분자는 폴리에틸렌이민계 고분자 또는 폴리알릴아민계 고분자인 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제17항에 있어서,상기 고분자는 가지달린 폴리에틸렌이민(branched polyethyleneimine), 에톡시레이티드 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine ethoxylated), 폴리 2-에틸-옥사졸린(poly(2-ethyl-2-oxazoline), 리니어 폴리에틸렌이민(linear polyethyleneimine), 바이오리듀서블 다이설파이드 가교된 폴리에틸렌이민(bioreducible disulfide-crosslinked polyethyleneimine), 폴리에틸렌이민 맥스(polyethyleneimine max), 폴리 알릴아민(polyallylamine), 폴리알릴아민 염화수소산염(polyallylamine hydrochloride), 폴리 카르복실 하이드로싸이페틸라조 벤젠설퍼나마이도 에테인다일 소디움 염(poly(1-(4-(3- carboxy-4hydroxyphenylazo)benzenesulfonamido)-1,2-ethanediyl, sodium salt) 및 폴리 다이알릴 다이메틸 암모니움 클로라이드(poly(diallyldimethylammonium chloride)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 표면개질층의 두께는 1nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 전자주입층은 금속산화물 박막층, 금속산화물 나노입자층 또는 금속산화물 박막 내에 금속산화물 나노입자가 포함된 층인 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 금속산화물은 n형 반도체 금속산화물인 역구조 유기 발광 다이오드 제조방법
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제14항에 있어서,상기 표면개질층은 졸-겔법 또는 증착법을 사용하여 형성하는 역구조 유기 발광 다이오드의 제조방법
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