기술개요
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본 발명은 반도체 상에 형성되는 투명전극으로 금속층/질화물층의 다층박막 구조를 이용해 낮은 전기저항, 높은 광투과율을 가지면서 발광층으로의 전하주입이 용이한 다층 투명전극 및 다층 투명전극을 포함하는 발광다이오드를 제공하는 것이 다. 본 발명의 구조는 반도체 상에 형성되는 투명전극으로, 상기 반도체 상에 위치 하는 제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 위치하는 질화물층을 포함하여 구성된다. 또한, 반도체 상에 형성되는 투명전극으로, 상기 반도체 상에 위치하는 제2 금속층; 상기 제2 금속층 상에 위치하는 제1 금속층; 상기 제1 금속층 상에 위치하 는 질화물층을 포함하여 구성되며, 상기 투명전극을 포함하는 발광다이오드를 제공 한다. 따라서, 본 발명 기술은 금속층/질화물층으로 형성되는 고투과율의 다층 투 명전극을 발광다이오드에 적용하여 효율을 높이고, 소비 전력을 낮춤으로써 석유 에너지 자원을 절약할 수 있는 친환경 기술이다.
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