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적어도 일부의 브러쉬 말단에 아데닌기, 티민기, 구아닌기, 시토신기, 및 우라실기로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상의 관능기를 가지는 폴리비닐 브러쉬 고분자 활성층을 가지는 고분자 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 폴리비닐 브러쉬 고분자는 하기 화학식(4)로 표현되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제5항에 있어서, 상기 링커는 -OCOR-, -OCORO-, -OCO(CH2)2OCO-, -OCO(CH2)2OCOR-, -OCO(C6H6)2RO-, -CO(C6H6)2ROCO-, -OCO(C6H6)2RCOO-, -OCO(C6H6)2RNHCO-, -OCO(C6H6)2ROCO(CH2)2OCO-, -OCO(C6H6)2ROCO(CH2)2OCORO-, -OCORO(C6H6)2-, -OCOROCO(C6H6)2-, -OCORCOO(C6H6)2-, -OCORNHCO(C6H6)2, -OCORO(C6H6)2ORO-, -OCORO(C6H6)2ORCO-, -OCORO(C6H6)2ORCOO-, -OCOROCO(C6H6)2ORO-,-OCOROCO(C6H6)2ORCO-, -OCOROCO(C6H6)2ORCOO-, -OCORCOO(C6H6)2ORO-,-OCORCOO(C6H6)2ORCO-, -OCORCOO(C6H6)2ORCOO- 로 이루어진 군으로부터 선택되며, 여기에서 R은 수소, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬렌인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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7
제5항에 있어서, 상기 화학식 (4)의 고분자는 하기 화학식(5) 또는 화학식 (6)인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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8
제5항에 있어서, 상기 화학식(4)에서 폴리비닐 브러쉬 고분자의 양단은 -C12H25, -C6H6, -NRC6H6, -OC2H5, -S-C12H25, -C6H6CN, -S(CH3)2CO2C5F5, -N(C5H5)2, -C4H4N, -N(CH3)2C5H5N, -C2H5, -SCH3, -C5H9NO, -O-C5H5, -N-CH(C2H5)2, -SCH2C5H5, -SCH2CH2CO2H, -C(CH3)2CN, -CH2CN, -SCS2C12H25, -SCSC5H5, -C(CH3)2C5H5, -CH2C5H5, -CCH3CNCH2CH2CO2H, -CCH3CNCH2CH2CH2OH, -CHCH3CO2CH3, -CHC5H5CO2CH3, -CHCH3CO2CH3, -C(CH3)2CO2C2H5, -CHCH3CO2H, -C(CH3)2CO2H, -C(CH3)2CO2CH3, -CCH3CNCH2CH2CO2C4H4NO2,-CCH3CNCO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO2C4H4NO2, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCOC(CH3)2SCS2C12H25, -C(CH3)2COCH2CH2CH2N3, -C3H7, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -CSC5H5, -SCS2C3H7, -C(CH3)3, -CH2CH2CO2H, -SCSN(CH3)C5H4N에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제8항에 있어서, 상기 화학식 4는 하기 화학식 7으로 표현되는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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하기 화학식(8)로 표현되는 비닐 구조의 단량체들을 화학식 9로 표현되는 연쇄전달체(chain transfer agent) 촉매하에서 반응시켜, 하기 화학식 10으로 표현되는 비닐 고분자를 제조하는 단계,(8)(9)(10) 상기 식에서 X1은 X2 유도체를 연결하는 링커로서 -O-, -COO-, -NH-, -S-, -SOO-로 이루어지는 군으로부터 선택되는 유도체이며 X2는 OH가 말단으로 끝나는 탄소수 1-20의 알킬렌기이며,여기서, Z는 -C12H25, -C6H6, -OC2H5, -S-C12H25, -C6H6CN, -S(CH3)2CO2C5F5, -N(C5H5)2, -C4H4N, -N(CH3)2C5H5N, -C2H5, -SCH3, -C5H9NO, -O-C5H5, -N-CH(C2H5)2, -SCH2C5H5, -SCH2CH2CO2H로 이루어진 군에서 선택되며, R은 -C(CH3)2CN, -CH2CN, -SCS2C12H25, -SCSC5H5, -C(CH3)2C5H5, -CH2C5H5, -CCH3CNCH2CH2CO2H, -CCH3CNCH2CH2CH2OH, -CHCH3CO2CH3, -CHC5H5CO2CH3, -CHCH3CO2CH3, -C(CH3)2CO2C2H5, -CHCH3CO2H, -C(CH3)2CO2H, -C(CH3)2CO2CH3, -CCH3CNCH2CH2CO2C4H4NO2, -CCH3CNCO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO2C4H4NO2, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCOC(CH3)2SCS2C12H25, -C(CH3)2COCH2CH2CH2N3, -C3H7, -C(CH3)2CO(OCH2CH2)nOCH3, -CSC5H5, -SCS2C3H7, -C(CH3)3, -CH2CH2CO2H, -SCSN(CH3)C5H4N에서 선택되고, m은 100이며; 및상기 화학식 (10)으로 표시되는 비닐 고분자와 하기 화학식(11)로 표현되는 화합물과 에스테르 축합 반응 하는 단계,P-L1-COOH (11)여기서, P는 아데닌기, 티민기, 구아닌기, 시토신기, 및 우라실기로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되며, L1은 탄소수 1-20의 알킬렌인 링커;를 포함하는 폴리비닐 브러쉬 고분자 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 화학식 (10)의 고분자 화합물은 하기 화학식(12)로 표현되는 폴리비닐 브러쉬 고분자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 에스테르 축합반응은 디메틸아세트아마이드, 디메틸포름아마이드, 디에틸에테르, 디클로로메탄, 테트라 하이드로퓨란 또는 그 혼합용액에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리비닐브러쉬 고분자 제조 방법
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제1항 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 고분자 활성층; 및 상기 고분자 활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제14항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 비휘발성 메모리 소자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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제14항에 있어서, 상기 고분자는 자기 조립된 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
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기판상에 형성된 하부 전극 위에 청구항 1 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 고분자를 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 고분자는 하이드록시 알킬(메타)아크릴레이트 브러쉬 고분자이며, 자기조립된 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
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