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기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 전도성의 제1 저항변화 물질층 및 비전도성의 제2 저항변화 물질층을 포함하는 저항변화층,상기 저항변화층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하되,상기 제1 저항변화 물질층은 TaOx(0003c#X003c#5/2), MoOx(0003c#X003c#3), NbOx(0003c#X003c#5/2), WOx(0003c#X003c#3) 및 SbOx(0003c#X003c#5/2) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 저항변화 물질층은 Ta2O5, MoO3, Nb2O5, WO3 및 Sb2O5 중 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리
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제 1항에서,상기 저항 변화층은 10nm 내지30nm의 두께인 저항변화 메모리
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제 2항에서,상기 저항 변화층은 결정질인 저항변화 메모리
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제 1항에서,상기 제1 저항변화 물질층과 상기 제2 저항변화 물질층은 동일 금속 산화물인 저항변화 메모리
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 예비 저항 변화층을 형성하는 단계,상기 예비 저항 변화층 위에 제2 전극을 형성하는 단계,열처리하여 상기 예비 저항 변화층을 결정화하는 단계,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 전압을 인가하여 상기 예비 저항변화층을 제1 저항변화 물질층 및 제2 저항변화 물질층으로 분리하는 단계를 포함하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제 5항에서,상기 저항 변화층은 TaOx, MoOx, NbOx, WOx 및 SbOx 중 어느 하나로 형성하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제6항에서,상기 제1 저항변화 물질층은 TaOx(0003c#X003c#5/2), MoOx(0003c#X003c#3), NbOx(0003c#X003c#5/2), WOx(0003c#X003c#3) 및 SbOx(0003c#X003c#5/2) 중 어느 하나를 포함하고,상기 제2 저항변화 물질층은 Ta2O5, MoO3, Nb2O5, WO3 및 Sb2O5 중 어느 하나를 포함하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제5항에서,상기 제1 전극, 제2 전극 및 예비 저항 변화층은 스퍼터로 증착하여 형성하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제5항에서,상기 스퍼터의 초기 진공상태는 5 x 10-5 Torr이하인 저항변화 메모리의 제조 방법
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제9항에서,상기 예비 저항변화층을 형성하는 단계에서,상기 스퍼터의 챔버에는 산소 가스 및 아르곤 가스를 주입하여 플라스마를 발생시키는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제10항에서,상기 산소 가스의 분압은 10-4 Torr 내지 3 x 10-4 Torr이고, 상기 아르곤 가스의 분압은 3
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제5항에서,상기 열처리는 400℃ 내지 600℃의 온도로 진행하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제5항에서,상기 열처리는 1분 내지 5분 동안 진행하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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제5항에서,상기 전압은 1V 내지 10V의 범위로 인가하는 저항변화 메모리의 제조 방법
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