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발광층에서 발생한 빛이 방출되는 출광면에 요철구조가 형성되어 있고, 상기 요철구조의 표면에 상기 출광면을 이루는 물질에 비해 굴절률이 낮은 물질로 이루어진 나노 패싯(facet)이 형성되어 있는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 출광면을 이루는 물질은 n형 GaN 또는 p형 GaN인 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 요철구조는 상기 출광면을 식각하여 형성된 원추 또는 다각추형 구조인 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 요철구조는 상기 출광면을 식각하여 상기 출광면에 복수 개의 홈이 형성된 구조인 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 나노 패싯은 MgO를 포함하는 발광다이오드
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제5항에 있어서,상기 나노 패싯은 Be, Ca, Sr, Ba 중에서 선택된 1종 이상의 원소가 상기 MgO와 화합물을 이루는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 요철구조의 단위 크기는 50nm~10㎛인 발광다이오드
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제5항에 있어서,상기 나노 패싯은 B, In, Zn, Tl, Al, Sn, Ga, Te, Si, C, Ge, N, P, As, Sb, Bi, S, Se, Br, I 및 Ti 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 발광다이오드
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발광층에서 발생한 빛이 방출되는 출광면에 요철구조가 형성되어 있고, 상기 요철구조의 표면에 상기 출광면을 이루는 물질에 비해 굴절률이 낮은 물질로 이루어지진 나노 패싯(facet)이 형성되어 있는 발광다이오드의 제조방법으로,상기 요철구조는 식각법으로 형성되고,상기 나노 패싯 구조는 스퍼터링 증착법, 전자선 증착법 또는 레이저 증착법에 의해 자발적으로 형성되는 발광다이오드의 제조방법
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발광층에서 발생한 빛이 방출되는 출광면에 요철구조가 형성되어 있고, 상기 요철구조의 표면에 상기 출광면을 이루는 물질에 비해 굴절률이 낮은 물질로 이루어지진 나노 패싯(facet)이 형성되어 있는 발광다이오드의 제조방법으로,발광층에서 발생한 빛이 방출되는 출광면에 요철구조가 형성되어 있고, 상기 나노 패싯 구조는 스퍼터링 증착법, 전자선 증착법 또는 레이저 증착법에 의해 자발적으로 형성되는 발광다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 출광면을 1M ~ 16M 농도의 NaOH 용액 또는 KOH 용액에 침지하여 식각하여 형성되는 발광다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 출광면에 PR(photoresist), 금속 도트, 실리카 구(SiO2 sphere), 폴리스티렌 구(polystylene sphere)를 사용하여 마스킹을 한 후 건식식각을 통해 상기 요철구조를 형성하는 발광다이오드의 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 출광면은 p형 GaN층과 상기 p형 산화물층 상에 전류퍼짐을 위해 형성된 산화물층을 구비하고, 상기 산화물층 상에 상기 요철구조가 형성되는 발광다이오드의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 산화물층은 ITO, IGO, IZO 또는 ZnO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 발광다이오드의 제조방법
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