| 1 |
1
제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 형성된 발광다이오드 제조방법에 있어서,(a) 제1기판 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계;(b) 상기 나노구조체가 코팅된 제1기판에서 제2기판으로 나노구조체를 전사하는 단계;(c) 상기 제2기판에 전사된 나노구조체를 제2반도체층에 전사하는 단계; 및(d) 상기 제2반도체층에 전사된 나노구조체를 마스크로 이용하여 제2반도체층을 건식 에칭하여 요철부를 형성하는 단계; 를 포함하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체는 SiO2, ZnO, Al203, MgO, TiO2, SnO2, TiO2, In2O3, CuO 중 적어도 어느 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체는 폴리스티렌(polystyrene), PMMA(Polymethyl Methacryl), PVA(Polyvinyl alcohol) 중 적어도 어느 하나의 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체의 직경은 100nm ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 구 모양의 나노구조체는 서로 다른 직경을 갖는 2 종 이상의 것이 혼합된 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 (a)단계 전에 상기 제1기판을 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 제1기판의 표면처리는 피라나(piranah), 산소 플라즈마, 자외선 오존 처리 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제2기판은 PDMS(polydimethylsiloxane), PMMA, 폴리이미드, 폴리카보네이트 중 적어도 어느 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 (b)단계와 (c)단계에서 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 (b)단계와 (c)단계에서 80 ~ 150℃의 온도를 가하는 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 요철부는 원뿔형인 것을 특징으로 하는 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
