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나노 와이어 성장 방법

  • 기술번호 : KST2014064095
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저가의 Si 기판 위에 패턴된 SiO2 또는 SiNx 유전체 덮개층을 형성한 구조를 준비하고 그 위에 3족 원소가 두 개 이상인 III-V 물질(InxGa1-xAszP1-z, InxGa1-xAszP1-z, InxAl1-xAszP1-z, InxGayAl1-x-yAszP1-z, InxGayAl1-x-yAszP1-z) SiO2 덮개 층 폭(Wsio2)과 덮개층이 없이 개방되어 있는 부분의 폭 (Whole)의 차이에 의하여 에너지 밴드갭이 다른 나노 와이어를 성장시키는 방법 방법이 제공된다. 상기 나노 와이어 성장 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 나노 와이어 성장용 층을 형성하는 단계; 나노 임프린트 리소그래피 방식에 의해 다수의 돌기를 갖는 몰드로 상기 나노 와이어 성장용 층을 임프린팅하여 상기 기판이 노출되도록 상기 다수의 돌기에 각각 대응하여 다수의 홀이 형성된 제1 영역 및 상기 제1 영역의 폭(Whole)과 다른 폭(Wsio2)을 갖고 상기 홀이 형성되지 않은 제2 영역으로 구분된 스프라이프 형태를 갖는 패턴을 형성하는 단계; 상기 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계 및 III - V족 화합물을 상기 패턴의 개방 비율(Wsio2/Whole)을 0 ~ 5 사이에서 선택에 따라 상기 패턴의 다수의 홀을 통하여 노출된 상기 기판의 표면에 제공하여 파장이 변하는 나노 와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020110144322 (2011.12.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1358644-0000 (2014.01.28)
공개번호/일자 10-2013-0075971 (2013.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효진 대한민국 광주광역시 광산구
2 고항주 대한민국 광주광역시 북구
3 한명수 대한민국 광주광역시 광산구
4 신재철 대한민국 광주광역시 광산구
5 김회종 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1043056-94
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0424829-43
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0754752-86
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0853360-36
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0853361-82
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0058641-61
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 나노 와이어 성장용 층을 형성하는 단계;나노 임프린트 리소그래피 방식에 의해 다수의 돌기를 갖는 몰드로 상기 나노 와이어 성장용 층을 임프린팅하여 상기 기판이 노출되도록 상기 다수의 돌기에 각각 대응하여 다수의 홀이 형성된 제1 영역 및 상기 제1 영역의 폭(Whole)과 다른 폭(Wsio2)을 갖고 상기 홀이 형성되지 않은 제2 영역으로 구분된 스프라이프 형태를 갖는 패턴을 형성하는 단계;상기 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계 및 III - V족 화합물을 상기 패턴의 개방 비율(Wsio2/Whole)을 0 ~ 5 사이에서 선택에 따라 상기 패턴의 다수의 홀을 통하여 노출된 상기 기판의 표면에 제공하여 파장이 변하는 나노 와이어를 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 파장이 변화시에 In의 조성비에 따라 나노 와이어의 밴드 갭 에너지를 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 (111) 면을 갖고, 실리콘, GaAs, Ge, 또는 InP 중의 적어도 하나에 의해 제조되는 나노 와이어 성장 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 나노 와이어 생성용 층은 이산화 실리콘(SiO2) 또는 질소화 실리콘 (SiNx)로 제조되고, 상기 다수의 홀은 동일한 또는 상이한 형상 및 크기를 갖고, 상기 III - V족 화합물은 인듐, 갈륨, 알루미늄, 또는 붕소 중의 적어도 2개의 III 족 원소 그리고 비소(As) 및 인(P) 중의 적어도 하나의 V족 원소를 포함하는 나노 와이어 성장 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.