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기판 위에 하부 반사층과, 활성층을 갖는 캐비티층 및 상부 반사층이 순차적으로 적층되어 상기 상부 반사층의 상부를 통해 광을 방사 또는 상기 상부 반사층의 상부를 통해 광을 수신한 광을 전기 에너지로 출력할 수 있도록 된 수직형 광반도체 소자에 있어서,상기 하부 반사층은 비소(As)를 포함하여 형성된 제1층과, 게르마늄(Ge)로 형성된 제2층이 수직상으로 교대로 반복적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1층은 갈륨비소(GaAs)로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체
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제1항에 있어서, 상기 제1층은 알루미늄비소(AlAs)으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 상부 반사층은 갈륨비소(GaAs)로 된 제3층과, 알루미늄비소(AlAs)로 된 제4층이 수직상으로 교대로 반복적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체
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제4항에 있어서, 상기 활성층은 게르마늄(Ge)소재로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체
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수직형 광반도체 소자의 제조방법에 있어서,가
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제6항에 있어서, 상기 제1층은 갈륨비소(GaAs)로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 제1층은 알루미늄비소(AlAs)로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체의 제조방법
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제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 상부 반사층은 갈륨비소(GaAs)로 형성된 제3층과, 알루미늄비소(AlAs)로 된 제4층이 수직상으로 교대로 반복적층된 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 활성층은 게르마늄(Ge)소재로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 광반도체의 제조방법
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