맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

실리콘 기판을 재활용한 고효율 III-V 태양전지와 광전소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014064098
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판을 재활용한 고효율 III-V 태양전지와 광전소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 표면에 고효율의 적층형 III-V 및 Ge 태양전지 구조를 성장하도록 하고, 성장된 적층형 태양전지를 실리콘 기판으로부터 분리할 수 있도록 하고, 태양전지 에피구조 성장에 사용된 실리콘 기판을 지속적으로 다시 사용할 수 있도록 함으로써, 고가의 화합물반도체 기판을 새것으로 사용하지 않으면서 고효율의 태양전지를 포함한 광전소자를 얻을 수 있도록 하되, 실리콘 기판 표면에 격자상수가 불일치(1 % 이상) 하는 III-V 족 화합물 또는 격자상수가 일치(0.5 % 미만) 하는 III-V 족 화합물을 버퍼층으로 성장하고, 그 표면에 HF 용액에 쉽게 에칭되는 고농도의 Al이 포함된 III-V 물질층을 Sacrificed layer(SL)로 성장하고, 그 위로 III-V 화합물 물질과 Ge 물질이 결합된 고효율 III-V 족 에피 구조를 형성하도록 한다. Transfer와 stain induced method 등 기존 ELO 방법과 유사한 방법(BLO)으로 희생층을 통해 기판으로부터 태양전지 에피 구조를 떼어내지만, 실리콘 기판의 경우 ELO 후에 남은 III-V층들을 선택적으로 완벽하게 에칭할 수 있으므로 GaAs 기판과는 달리 지속적으로 기판을 사용할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 31/0735 (2012.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/184(2013.01) H01L 31/184(2013.01) H01L 31/184(2013.01) H01L 31/184(2013.01)
출원번호/일자 1020130045396 (2013.04.24)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1455724-0000 (2014.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.24)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김효진 대한민국 광주 광산구
2 신재철 대한민국 광주 광산구
3 서영성 대한민국 광주 광산구
4 한명수 대한민국 광주 광산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 우광제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **-* (역삼동, 신도빌딩) *층(유리안국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0360203-57
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0349923-89
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0681015-00
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0594949-45
5 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0919421-94
6 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0710501-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
2o-off 경사진 p-Si 기판을 불산(HF)에 1분간 에칭한 다음, H2SO4과 H2O2를 3:1로 혼합한 용액으로 Piranha 세정하고, 상기 세정된 p-Si 기판을 산화물 에칭(BOE: Buffered Oxide Etchant)으로 20분 동안 에칭한 다음, 5초간 DI(deionized)로 Rinse 처리하며, 상기 p-Si 기판을 N2 Gun으로 건조시켜 물기를 증발시킨 다음, GaAs층을 증착하기 위해 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition) 반응관에 넣어 p-Si 기판의 표면을 세척하는 단계;상기 p-Si 기판 표면에 GaAs 또는 GaP 버퍼층이 형성되도록 버퍼층을 성장하는 단계;상기 버퍼층 위에 Al0
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.