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발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014064139
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 식각정지층을 포함하여 기판에서 각각의 발광다이오드로 분리할 때 발광다이오드의 식각을 용이하게 하고, n형 전극층과 p형 전극층이 쇼트되는 것을 방지하는 발광 다이오드를 제공함에 그 목적이 있다. 이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 내부에 비아홀이 형성된 반도체층; 상기 반도체층의 상부 일부표면에 형성되는 반사층; 상기 반도체층의 상부 바깥 가장자리 일부표면에 형성되는 식각정지층; 상기 반사층의 전면 상부 및 상기 식각정지층의 일부 상부에 형성되는 제 1 금속층; 상기 반도체층의 가장자리를 상기 식각정지층과의 경계까지 식각한 후, 식각된 위치를 통해 상기 식각정지층의 일부 내부를 관통하여 제 1 금속층과 접촉하는 제 2 금속층; 상기 제 1 금속층의 전면 상부 표면 및 상기 비아홀의 내주면을 덮는 절연보호막; 및 상기 반도체층의 비아홀 내부의 내경보다 작은 외경을 가지고, 상기 비아홀 내부를 관통하여 반도체층과 접촉함과 동시에 상기 절연보호막 전면 상부에 형성되는 전극;을 포함하여 이루어진다.
Int. CL H01L 33/44 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020110142140 (2011.12.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1297353-0000 (2013.08.09)
공개번호/일자 10-2013-0074208 (2013.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.26)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정탁 대한민국 광주광역시 광산구
2 김승환 대한민국 전라남도 무안군
3 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
4 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
5 김자연 대한민국 광주광역시 광산구
6 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
7 백종협 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1032299-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0071451-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732955-44
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0093693-19
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0181816-25
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0268515-50
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0353811-32
9 등록결정서
Decision to grant
2013.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0550232-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
1 1
내부에 비아홀이 형성된 반도체층; 상기 반도체층의 상부 일부표면에 형성되는 반사층; 상기 반도체층의 상부 바깥 가장자리 일부표면에 형성되는 식각정지층; 상기 반사층의 전면 상부 및 상기 식각정지층의 일부 상부에 형성되는 제 1 금속층; 상기 반도체층의 가장자리를 상기 식각정지층과의 경계까지 식각한 후, 식각된 위치를 통해 상기 식각정지층의 일부 내부를 관통하여 제 1 금속층과 접촉하는 제 2 금속층; 상기 제 1 금속층의 전면 상부 표면 및 상기 비아홀의 내주면을 덮는 절연보호막; 및 상기 반도체층의 비아홀 내부의 내경보다 작은 외경을 가지고, 상기 비아홀 내부를 관통하여 반도체층과 접촉함과 동시에 상기 절연보호막 전면 상부에 형성되는 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전극 상부에 기판 비아홀을 포함하는 세라믹기판과, 세라믹기판 상단에 형성되는 전극패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.