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Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014064168
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적은 조대분말과 미세분말을 소정의 혼합비로 혼합한 뒤, 수분내의 짧은 시간에 소결이 가능한 방전플라즈마 소결공정을 통해 소결하여 결정학적 배향성을 향상시키고, 조직의 치밀화 및 제어를 용이하게 함으로써 기계적 강도가 우수하고, 성능 및 제조단가 면에서 유리한 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 Bi, Te, Se 원소 및 SbI3 도펀트를 n형 조성에 맞도록 칭량하여 석영관에 장입한 후 진공봉입하여 교반로에 투입하여 잉고트를 제조하고, 제조된 잉코트를 파쇄한 뒤, 200~300㎛의 조대분말과, 45㎛ 이하의 미세분말로 분급하며, 분급된 분말의 수소를 환원시킨 다음 조대분말과 미세분말의 소정의 혼합비로 혼합하여 방전플라즈마 소결공정을 이용해 소결하는 것으로 이루어진 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법에 관한 것을 그 기술적 요지로 한다.방전플라즈마 소결, 배향성, 열전재료, 조대분말, 미세분말
Int. CL B22F 3/20 (2006.01)
CPC B22F 3/105(2013.01) B22F 3/105(2013.01) B22F 3/105(2013.01) B22F 3/105(2013.01) B22F 3/105(2013.01) B22F 3/105(2013.01) B22F 3/105(2013.01)
출원번호/일자 1020050125920 (2005.12.20)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0786633-0000 (2007.12.11)
공개번호/일자 10-2007-0065477 (2007.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20071221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경택 대한민국 인천 연수구
2 김용환 대한민국 인천 연수구
3 임철호 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최영규 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년 국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)
2 장순부 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, B동 ***호 새천년국제특허법률사무소 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0743907-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0071654-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0673591-14
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0032488-95
6 의견서
Written Opinion		 2007.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0032432-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2007-5022520-66
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0255897-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0491203-99
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0491178-34
11 보정요구서
Request for Amendment		 2007.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0099438-19
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2007.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0518310-43
13 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0606138-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
Bi, Te, Se의 원소 및 SbI3 도펀트를 n형 조성에 맞도록 칭량하여 석영관에 장입한 후 진공봉입하는 진공봉입단계(S1);상기 봉입단계(S1)를 거쳐 봉입된 석영관을 교반로에 투입하여 교반한 후, 노냉하여 잉고트를 제조하는 잉고트 제조단계(S2);상기 잉고트 제조단계(S2)를 단계를 거쳐 제조된 잉고트를 파쇄하는 파쇄단계(S3);상기 파쇄단계(S3)를 거쳐 파쇄된 분말을 분쇄하는 분쇄단계(S4);상기 분쇄단계를 거쳐 분쇄된 분말을 입경 200~300㎛의 조대분말과, 입경 20~45㎛의 미세분말로 분리하는 분급단계(S5);상기 분급단계(S5)를 거쳐 분급된 분말을 파이렉스 튜브에 장입하고, 수소를 채워 봉입한 다음, 340~380℃의 온도로 가열 및 유지하여 분말의 수소를 환원시키는 수소 환원단계(S6);상기 수소환원단계(S6)를 거친 60~80wt
3 3
제 2 항에 있어서,상기 파쇄단계(S3)는, 질소분위기하의 그로브박스내에서 알루미나 유발을 이용하여 파쇄하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서,상기 분쇄단계(S4)는, 아르곤 분위기하에서 볼밀을 이용하여 분쇄하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제 2 항에 있어서,상기 잉고트 제조단계(S2)는, 700~750℃에서 10회/분의 속도로 2시간 동안 교반한 후, 노냉하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법
7 7
제 2 항에 있어서,상기 수소환원단계(S6)는, 분급된 분말이 장입된 상기 파이렉스 튜브에 수소를 300~500 torr로 채워 봉입하고, 340~380℃에서 10~15시간동안 유지하는 것을 특징으로 하는 Bi-Te계 n형 열전재료의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.