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가변 단면 압출성형용 제어방법

  • 기술번호 : KST2014064182
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메인램 속도에 따른 제품의 형상 가공시간과 형상정밀도를 예측하여 가변 압출을 통해 실현할 수 있는 제품의 형상과 성형 여부를 예측하고 제품의 생산성을 높일 수 있도록 한 가변 단면 압출 성형용 제어방법에 관한 것이다. 이를 위해, 메인램과 가변램에 의해 압출소재를 가변 압출하되, 제어수단에 의해 메인램과 가변램의 이송변위를 연산 및 제어하는 방법에 있어서, 상기 제어수단은, 가변 구간별 제어형상 포인트를 입력하고, 제품의 형상가공 속도와 가변램 속도를 연산하여 입력하며, 일정한 제어 시간간격을 입력한 후, 메인램을 이동시켜 시간에 따른 메인램 속도변화와 시간에 따른 메인램 이동거리를 연산하여 입력하고, 메인램의 현재위치값과 각 구간별 변위위치값을 비교하여 가변램의 구동을 결정하는 것을 특징으로 한다. 상기한 구성에 따라, 메인램과 가변램의 이송 변위 및 동조 속도에 따른 위치값을 연산하므로, 성형 전 제품의 형상을 미리 구현할 수 있는 효과가 있고, 형상가공 속도의 계산에 따른 형상 가공시간의 연산을 통해 최대 메인램 속도를 구할 수 있어, 제품 성형시간을 단축시키고 생산성을 향상시킬 수 있는 효과도 있다. 압출성형, 제어수단, 메인램, 가변램, 형상가공시간.
Int. CL B21C 25/08 (2006.01) B21C 23/00 (2006.01) B21C 25/00 (2006.01)
CPC B21C 31/00(2013.01) B21C 31/00(2013.01) B21C 31/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080051719 (2008.06.02)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-0979743-0000 (2010.08.27)
공개번호/일자 10-2009-0125555 (2009.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.02)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석우 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 임성주 대한민국 인천광역시 남구
3 이낙규 대한민국 서울특별시 마포구
4 최호준 대한민국 인천광역시 남동구
5 왕지남 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 안승훈 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종정 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 *, ***호(역삼동, 강남역센트럴푸르지오시티)(오주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0395263-22
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0421110-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2008-5164358-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5178457-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.01.20 수리 (Accepted) 4-1-2009-5013686-94
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0041355-65
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0148549-53
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0338389-54
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0338386-17
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0365670-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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컨테이너 내부에 인입되는 압출소재를 메인램에 의해 압출홀 내부로 가압하여 압출 성형함과 동시에, 가변램의 이송을 통해 압출홀의 개구 면적을 가변하면서 제품을 압출 성형할 수 있도록 제어수단에 의해 메인램과 가변램의 이송변위를 연산 및 제어하는 방법에 있어서, 상기 제어수단은, 성형하고자 하는 제품에서 가변 구간별 변위위치값(d0~dn)과, 가변지점 시간에 따른 제품의 단면적(A(t))을 입력하는 제1단계와; 메인램 속도(Vram)와 압출비(R)를 이용하여 제품의 형상가공 속도(Vout)를 Vout = R × Vram의 수식에 의해 연산하고, 이 형상가공 속도(Vout)를 이용하여 가변 구간에서의 가변램 속도(Vside)를 Vside = (L1-L0) × Vout/(D1-D0)의 수식에 의해 연산하여 입력하는 제2단계와; 일정한 제어시간 간격(t)을 입력한 후, 메인램(110)을 이동시켜 시간에 따른 메인램 속도변화(Vram(t))를 Vram(t) = Vout/R(t) = Vout/AO × A(t)의 수식에 의해 연산하고, 이 메인램 속도(Vram)를 시간에 따라 적분하여 시간에 따른 메인램 이동거리(Dram(t))를 Dram(t) = 의 수식에 의해 연산 및 입력하는 제3단계와; 제어시간 간격(t)에 따른 메인램(110)의 현재위치값을 입력하여, 이 현재위치값이 각 구간별 변위위치값(d0~dn)과 같아지는 경우 메인램(110)과 함께 가변램(120)을 이동시켜 가변램(120)의 위치값을 구하고, 다른 경우 메인램(110)만을 계속해서 이동시키며, 상기한 가변램(120)을 이동시키는 경우 제어시간 간격(t)에 따른 제품의 단면적(A(t))이 다음 구간의 가변지점 시간에 따른 제품의 단면적(A(t))에 이를 때까지 가변램(120)을 이동시키는 제4단계와; 제품의 가변 구간이 종료될 때까지 제3단계에서부터 제4단계를 반복하여 수행하는 제5단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 가변 단면 압출 성형용 제어방법
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