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유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 발광층 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014064403
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 발광층 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기 발광 다이오드는, 애노드 전극 및 캐소드 전극; 상기 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성되는 2 이상의 발광층; 및 상기 2 이상의 발광층 사이에 형성된 투명한 층간 삽입층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 다층 발광층 및 그의 제조방법에 따르면, 발광층들 사이사이에 층간 삽입층을 개재시킴으로써 고분자 발광 재료로 형성되는 다층 구조의 발광층의 형성이 가능하여, 유기 발광 다이오드의 소자 구조를 다양하게 변화시킬 수 있고, 나아가 발광 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01)
출원번호/일자 1020100050498 (2010.05.28)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0130933 (2011.12.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성구 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이경균 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 임은희 대한민국 충청남도 천안시 동남구
4 임이랑 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0345263-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045749-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0697185-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0073136-07
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0073141-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0412004-33
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0685855-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0062833-35
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
애노드 전극 및 캐소드 전극;상기 애노드 전극 및 캐소드 전극 사이에 형성되는 2 이상의 발광층; 및 상기 2 이상의 발광층 사이에 형성된 투명한 층간 삽입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 층간 삽입층은 투명 전도성 고분자, 투명 전도성 산화물 또는 투명 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
3 3
청구항 2에 있어서,상기 투명 전도성 고분자는 폴리티오펜 유도체 및 폴리아닐린 유도체를 포함하는 전도성 고분자 또는 CNT나 금속나노입자와 전도성 고분자의 복합 소재로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
4 4
청구항 2에 있어서,상기 투명 전도성 산화물은 ITO, ZnO, TiO2 및 ATO로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
5 5
청구항 2에 있어서,상기 투명 금속은 Ag 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
6 6
청구항 1에 있어서,상기 애노드 전극과 상기 발광층 사이에 정공을 주입하는 정공주입층과 전자를 수송하는 정공수송층을 더 포함하고,상기 캐소드 전극과 상기 발광층 사이에 전자를 주입하는 전자주입층 과 전자를 수송하는 전자수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
7 7
청구항 1에 있어서,상기 발광층은 백색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
8 8
청구항 1에 있어서,상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
9 9
청구항 1에 있어서,상기 발광층은 고분자, 올리고머 또는 저분자 발광 재료를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
10 10
2 이상의 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층에 있어서,상기 2 이상의 발광층 사이에 형성된 투명한 층간 삽입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층
11 11
청구항 10에 있어서,상기 층간 삽입층은 투명 전도성 고분자, 투명 전도성 산화물 또는 투명 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층
12 12
청구항 10에 있어서,상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층
13 13
청구항 10에 있어서,상기 발광층은 고분자, 올리고머 또는 저분자 발광 재료를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층
14 14
2 이상의 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층의 제조 방법에 있어서,상기 다층 발광층 중 하나의 발광층을 형성한 후, 형성된 발광층 위에 투명 전도성 고분자, 투명 전도성 산화물 또는 투명 금속으로 투명한 층간 삽입층을 형성하고, 상기 층간 삽입층 위에 다른 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층의 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 다층 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층의 제조 방법
16 16
청구항 14에 있어서,상기 다층 발광층은 고분자, 올리고머 또는 저분자 발광 재료를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 다층 발광층의 제조 방법
17 17
유기 발광 다이오드를 구성하는 기능층들의 사이 또는 각 기능층들의 외면에 형성된 투명한 층간 삽입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
18 18
청구항 17에 있어서,상기 층간 삽입층은 투명 전도성 고분자, 투명 전도성 산화물 또는 투명 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.