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고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014064407
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수십 나노미터의 다양한 크기 분포를 가지며 표면에 고분자 표면보호막이 형성된 4족 반도체 나노입자를 제조하는 방법 및 이에 따라 제조된 4족 반도체 나노입자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 나노입자의 제조방법을 사용하는 경우 고분자 표면보호막이 형성되어 표면이 산화되는 것을 방지할 수 있으며, 수십 나노크기의 다양한 크기 분포를 가진 반도체 나노입자를 제조할 수 있으며, 또한 반도체 나노입자의 저항, 전도도, 전하이동도 및 자기적 성질을 조절할 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100115035 (2010.11.18)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0053755 (2012.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권하영 대한민국 충청북도 청주시 상당구
2 임은희 대한민국 강원도 원주시
3 이성구 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 이경균 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0754744-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0648925-81
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-1096634-39
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0079228-73
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0079229-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0378545-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
용매에 분산제를 첨가하고 교반하여 분산제 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 분산제 용액에 4족 원소함유염을 첨가하고 교반하여 혼합용액을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 교반된 혼합용액에 환원제를 첨가하여 교반하여 혼합물을 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 단계 3에서 제조된 혼합물을 원심분리기를 이용하여 분리하고 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 용매는 글라임계 용매, 톨루엔, 아니솔 및 사이크로벤젠, 다이글라임,트리글라임,에틸렌글리콘,다이에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 분산제는 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 폴리아크릴산 하이드라지드(polyacrylic acid hydrazide), 폴리-N-비닐-5-메톡사졸리돈(poly-N-vinyl-5-methoxazolidon), N-알킬 폴리이민(N-alkyl polyimine), 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol), N-아세틸 폴리이민(N-acetyl polyimine), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리-L-리신하이드로브로마이드(poly-L-lysinhydrobromide), 폴리아크로레인(polyacroleine), 벤질-도데실-디메틸암모늄 클로라이드(benzyl-dodecyl-dimethylammonium chloride), 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine), 4-비닐피리딘(4-vinylpyridine) 및 메틸비닐케톤(methylvinylketone)으로 이루어진 군으로부터 선택된 고분자 또는 이들의 올리고머로 이루어진 복합고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 분산제는 단분자 또는 올리고머단위가 공유결합으로 연결되어 있는 반복된 형태의 탄화수소분자로서 분자량이 10,000mole/g 이상이며 4족원소와 혼합형 이온성 공유결합(mixed ionic covalent bond) 형성이 가능한 복합고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 4족 원소함유염은 실리콘염 또는 게르마늄염인 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 환원제는 소듐나프탈라이드, 리티움나프탈라이드, 포타슘나프탈라이드와 리티움알루미늄하이드라이드 (LiAlH4), 소디움보로하이드라이드, 알루미늄하이드라인드(AlH3), 리티움하이드라이드, 소디움하이드라이드(NaH), 포타슘하이드라이드를 포함하는 하이드라이드류 및 리튬 및 소디움을 포함하는 1족의 금속류로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 가진 반도체 나노입자의 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 4족 원소함유염, 분산제, 환원제의 중량비는 각각 0
9 9
청구항 1에 있어서,상기 단계 2에서 4족 원소함유염과 함께 I족 원소, II족 원소, III족 원소, V족 원소 및 VI족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 염 또는 2종 이상의 혼합염을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 포함하는 반도체 나노입자
10 10
청구항 9에 있어서,상기 I족 원소, II족 원소, III족 원소, V족 원소 및 VI족 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 1종을 포함하는 염 또는 2종 이상의 혼합염은 4족 원소함유염 100 중량부 기준으로 0 ~ 30 중량부가 첨가되는 것을 특징으로 하는 고분자 표면보호막을 포함하는 반도체 나노입자
11 11
4족 반도체 나노입자 및 상기 4족 반도체 나노입자에 부착된 고분자 표면보호막을 포함하는 반도체 나노입자
12 12
청구항 11에 있어서,상기 반도체 나노입자는 5 나노미터 초과 500 나노미터 미만의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
13 13
청구항 11에 있어서,상기 고분자 표면보호막은 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone), 폴리아크릴산 하이드라지드(polyacrylic acid hydrazide), 폴리-N-비닐-5-메톡사졸리돈(poly-N-vinyl-5-methoxazolidon), N-알킬 폴리이민(N-alkyl polyimine), 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol), N-아세틸 폴리이민(N-acetyl polyimine), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide), 폴리-L-리신하이드로브로마이드(poly-L-lysinhydrobromide), 폴리아크로레인(polyacroleine), 벤질-도데실-디메틸암모늄 클로라이드(benzyl-dodecyl-dimethylammonium chloride), 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine), 4-비닐피리딘(4-vinylpyridine) 및 메틸비닐케톤(methylvinylketone)으로 이루어진 군으로부터 선택된 고분자 또는 이들의 올리고머로 이루어진 복합고분자인 것을 특징으로 하는 수십 나노미터 크기를 가지는 반도체 나노입자
14 14
청구항 11에 있어서,상기 고분자 표면보호막은 단분자 또는 올리고머단위가 공유결합으로 연결되어 있는 반복된 형태의 탄화수소분자로서 분자량이 10,000mole/g 이상이며 4족원소와 혼합형 이온성 공유결합(mixed ionic covalent bond) 형성이 가능한 복합고분자인 것을 특징으로 하는 반도체 나노입자
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1 WO2012067446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2012067446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2012067446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2012067446 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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