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고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막

  • 기술번호 : KST2014064409
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질산은을 금속원으로 사용하고 차아인산암모늄을 환원제로 사용하며 착화제로 암모니아수 및 에틸렌디아민을 첨가함으로써, 1) 매우 안정적이며, 2) 도금시 피트나 크랙이 감소하고 치밀한 표면 조직을 가질뿐만 아니라 3) 반도체 배선용 피막의 비저항을 효과적으로 개선할 수 있는 고안정성 무전해 은 도금액, 이를 이용한 무전해 도금 공정 및 이에 의해 제조된 은 피막에 관한 것이다.
Int. CL C23C 18/16 (2006.01) C23C 18/42 (2006.01)
CPC C23C 18/44(2013.01) C23C 18/44(2013.01) C23C 18/44(2013.01)
출원번호/일자 1020100124003 (2010.12.07)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1224206-0000 (2013.01.14)
공개번호/일자 10-2012-0063566 (2012.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍기 대한민국 인천광역시 연수구
2 이창면 대한민국 인천광역시 연수구
3 허진영 대한민국 서울특별시 양천구
4 이호년 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0804125-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0020228-21
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0451899-16
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0791400-08
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0902969-24
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-1002018-09
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1002019-44
11 등록결정서
Decision to grant
2013.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0014023-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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금속염으로서 질산은을 포함하고, 환원제로서 차아인산암모늄을 포함하고, 착화제로서 암모니아수를 포함하고, 추가로 에틸렌디아민 및 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA) 중 어느 하나를 더 포함하며,상기 암모니아수의 농도는 50 내지 400 ㎖/ℓ이며, 상기 에틸렌디아민 및 상기 에틸렌다이아민테트라아세트산 중 어느 하나의 농도는 1
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 질산은의 농도는 0
5 5
삭제
6 6
제1항 및 제4항 중 어느 한 항에 기재된 무전해 은 도금액을 사용하여 반도체 배선을 위한 도금층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 도금 공정
7 7
제6항에 있어서, 상기 무전해 도금 공정은 20 내지 60℃의 온도 범위 및 9
8 8
제6항에 있어서, 상기 형성된 도금층을 300 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 도금 공정
9 9
제8항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 도금 공정
10 10
제1항 및 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 무전해 은 도금액에 의하여 금속 표면상에 도금되는 것을 특징으로 하는, 은 피막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.