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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014064421
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 표면조직화 처리된 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 도핑 처리하여 상기 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 기판과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층을 형성함으로써 복수의 전면 층이 형성되지 않은 기판의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 전면 층과 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 각각의 전면 층 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층 사이를 절연하도록 한다.본 발명은 기판의 전면 중 전면 층이 형성되지 않은 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 전면 층과 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내므로 누설전류를 줄여 광전 효율을 증대할 수 있으며, 특히 복수의 전면 층 각각이 기판과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 광전효과를 나타내어 하나의 태양전지 내부에 또 다른 복수의 태양전지를 형성하는 구조이므로 복수의 전면 층 중 어느 한 부위에서 고장이나 결함이 발생하더라도 나머지 다른 전면 층들이 정상 작동함으로써 태양전지의 전체 효율 저하율을 최소화할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130056541 (2013.05.20)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1385201-0000 (2014.04.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승일 대한민국 충남 천안시 서북구
2 백종현 대한민국 경기 용인시 수지구
3 김근주 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0441047-53
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0199286-73
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)과;스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 서로 정해진 간격을 두고 도핑 처리되어 형성되고, 각각이 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터(emitter) 층으로 형성되거나 적어도 2개 이상의 컬렉터(collector) 층으로 형성되는 복수의 전면 층(312);상기 복수의 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 형성되는 반사 방지막(313)(ARC: Anti-Reflection Coating layer);상기 반사 방지막(313)을 관통하여 상기 각각의 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(314);상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(315); 및상기 기판(311)의 후면에 형성되어 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(316)(BSF: Back Surface Field layer);으로 구성되며, 상기 기판(311)의 전면 중 상기 복수의 전면 층(312)이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내고, 상기 각각의 전면 층(312) 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층(312) 사이를 절연하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(312)은 상기 기판(311)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(312)은 상기 기판(311)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)을 표면조직화(texturing) 처리하는 제1과정(S310)과;스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 표면조직화 처리된 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 적어도 2개 이상의 이미터 층이나 적어도 2개 이상의 컬렉터 층으로 된 복수의 전면 층(312)을 형성함으로써 상기 기판(311)의 전면 중 상기 복수의 전면 층(312)이 형성되지 않은 기판(311)의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 각각의 전면 층(312) 사이에 정해진 간격으로 형성되는 이격 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 각각의 전면 층(312) 사이를 절연하도록 하는 제2과정(S320);상기 복수의 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 반사 방지막(313)을 형성하는 제3과정(S330); 및스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막(314)을 관통하여 상기 복수의 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(315)과 상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(316)을 형성하는 제4과정(S340);으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 기판(311)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성할 때 더 형성되는 인(P)과 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(PSG: Phosphorous Silicate Glass)층을 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 기판(311)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제2과정(S320)에서는 상기 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(312)을 형성할 때 더 형성되는 붕소(B)와 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(BSG: Boron Silicate Glass)층을 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 제4과정(S340)에서는 상기 기판(311)이 상기 후면 전극(116)을 형성할 때 상기 기판(111)의 후면 위에 전극이 형성되지 않는 부분에 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(117)(BSF)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104321881 CN 중국 FAMILY
2 WO2014189182 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104321881 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104321881 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE112013003725 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 WO2014189182 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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