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태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014064423
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 표면조직화 처리된 기판의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판과 함께 광전효과를 나타내는 이미터 층이나 컬렉터 층으로 된 전면 층을 형성함으로써 상기 전면 층이 형성되지 않은 기판의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층과 상기 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 한다.본 발명은 스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 기판의 전면 중 상기 전면 층이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층과 상기 기판의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내므로 누설전류를 줄여 광전 효율을 증대할 수 있으며, 특히 유지보수비가 많이 드는 레이저를 이용하여 기판 전면에 절연 홈을 형성하거나 유지보수비가 많이 드는 스폰지 롤러를 포함하는 에칭 케미컬 수조 이용하여 기판 측면과 후면에 절연 면을 형성하는 종래의 태양전지 제조방법에 비해 상대적으로 저렴한 비용으로 제조공정을 단순화함으로써 태양전지 제조원가를 절감할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130056536 (2013.05.20)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1442012-0000 (2014.09.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승일 대한민국 충남 천안시 서북구
2 백종현 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0440971-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0027858-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0265225-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0557341-48
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0557349-13
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0562827-43
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0600098-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)을 표면조직화(texturing) 처리하는 제1과정(S310)과;스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 표면조직화 처리된 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분을 도핑 처리하여 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 이미터 층이나 컬렉터 층으로 된 전면 층(312)을 형성함으로써 상기 전면 층(312)이 형성되지 않은 기판(311)의 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내도록 하고, 상기 P형 실리콘 기판에 상기 전면 층(312)을 N형 이미터 층으로 형성할 때 더 형성되는 인(P)과 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(PSG: Phosphorous Silicate Glass)층 혹은 상기 N형 실리콘 기판에 상기 전면 층(312)을 P형 컬렉터 층으로 형성할 때 더 형성되는 붕소(B)와 실리콘 내부에서 석출된 불순물을 포함하는 산화물(BSG: Boron Silicate Glass)층을 불화수소(HF)의 수용액에서 침지하여 실리콘 표면에 손상 없이 제거하는 제2과정(S320);상기 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 반사 방지막(313)을 형성하는 제3과정(S330); 및스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 반사 방지막(314)을 관통하여 상기 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(314)과 상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(315)을 형성하는 제4과정(S340);으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제4과정(S340)에서는 상기 기판(311)이 상기 후면 전극(315)을 형성할 때 상기 기판(311)의 후면 위에 전극이 형성되지 않는 부분에 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(316)(BSF)을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 따른 태양전지 제조방법으로 제조된 것이며,P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(311)과;스크린 인쇄 후 열처리 건조 방식으로 상기 기판(311)의 전면 중 에지 부분을 제외한 나머지 부분에 도핑 처리되어 형성되고, 상기 기판(311)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(311)과 함께 광전효과를 나타내는 이미터(emitter) 층으로 형성되거나 컬렉터(collector) 층으로 형성되는 전면 층(312);상기 전면 층(312) 위와 상기 기판(311)의 측면 위에 형성되는 반사 방지막(313)(ARC: Anti-Reflection Coating layer);상기 반사 방지막(313)을 관통하여 상기 전면 층(312)과 접속하는 복수의 전면 전극(314);상기 기판(311)과 접속하는 복수의 후면 전극(315); 및상기 기판(311)의 후면에 형성되어 광전효과에 의해 분리된 전자 정공 쌍의 재결합을 방지함으로써 광전 효율을 개선하는 후면 전계층(316)(BSF: Back Surface Field layer);으로 구성되며, 상기 기판(311)의 전면 중 상기 전면 층(312)이 형성되지 않은 상기 에지 부분에서 P-N 접합 밴드 갭 상에서 전위장벽을 만들어 상기 전면 층(312)과 상기 기판(311)의 후면의 단락을 원천적으로 방지하는 절연 성능을 나타내는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 3 항에 있어서, 상기 전면 층(312)은 상기 기판(311)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 3 항에 있어서, 상기 전면 층(312)은 상기 기판(311)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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