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태양전지의 광흡수층 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광흡수층

  • 기술번호 : KST2014064593
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 박막 스트레스를 줄여주고, 인듐의 손실을 줄이며, 갈륨이 분리되어 기판의 몰리브덴으로 편석되는 것을 방지할 수 있는 태양전지의 전구체 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광흡수층이 개시된다.일 예로, 셀렌화 인듐(In2Se3)을 타겟으로 형성하여 스퍼터링 공정을 통해 기판의 상부에 증착하는 셀렌화 인듐 증착 단계; 및 갈륨화 구리(CuGa) 및 셀렌화 구리(Cu2Se)를 타겟으로 형성하고 스퍼터링 공정을 통해 상기 기판의 상부에 증착하는 갈륨화 구리 및 셀렌화 구리 증착 단계를 포함하는 CIS(CuInSe2)계 태양 전지의 광흡수층의 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020130012025 (2013.02.01)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1385674-0000 (2014.04.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.01)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 김재웅 대한민국 광주 광산구
3 박인선 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0099898-01
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0207297-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
CIS(CuInSe2)계 태양 전지의 광흡수층을 제조하는 방법에 있어서,셀렌화 인듐(In2Se3)을 타겟으로 형성하여 스퍼터링 공정을 통해 기판의 상부에 증착하는 셀렌화 인듐 증착 단계; 및갈륨화 구리(CuGa) 및 셀렌화 구리(Cu2Se)를 타겟으로 형성하고 스퍼터링 공정을 통해 상기 기판의 상부에 증착하는 갈륨화 구리 및 셀렌화 구리 증착 단계를 포함하는 광흡수층 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 몰리브덴(Mo) 소재로 이루어진 광흡수층 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 갈륨화 구리 및 셀렌화 구리 증착 단계의 이후에는 결정화 단계가 더 이루어지는 광흡수층 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 결정화 단계는 상기 기판의 상면에 전자빔을 조사하여 결정화를 수행하는 광흡수층 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 결정화 단계는 상기 기판의 상면에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 공급하면서 열처리를 하여 결정화를 수행하는 광흡수층 제조 방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 제조 방법을 통해 제조된 것을 특징으로 하는 CIS(CuInSe2)계 태양전지의 광흡수층
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지기술연구원 융합연구사업 스퍼터 기반 저온 고효율 와이드 밴드갭 태양전지 개발
2 지식경제부 ㈜에스엔텍 호남권 광역경제권 선도사업 Cylindrical sputter target을 이용한 CIS계 흡수층 박막의 생산성 향상 기술 개발